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EBR25EC8ABFD-8C

更新时间： 2024-09-16 06:55:31

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器时钟
页数	文件大小	规格书
12页	106K
描述
256MB Direct Rambus™ DRAM RIMM™ Module

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EBR25EC8ABFD-8C 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DMA	包装说明：	DIMM, DIMM184,40
针数：	184	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.92	Is Samacsys：	N
访问模式：	BLOCK ORIENTED PROTOCOL	其他特性：	SELF CONTAINED REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	800 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N184	内存密度：	2415919104 bit
内存集成电路类型：	RAMBUS DRAM MODULE	内存宽度：	18
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	184
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	组织：	128MX18
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM184,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	1.8/2.5,2.5 V
认证状态：	Not Qualified	自我刷新：	YES
子类别：	DRAMs	最大供电电压 (Vsup)：	2.63 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.37 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

EBR25EC8ABFD-8C 数据手册

DATA SHEET

256MB Direct Rambus DRAM RIMM Module

EBR25EC8ABFD (128M words × 18 bits)

Description

Features

The Direct Rambus RIMM module is a general-purpose

high-performance memory module subsystem suitable

for use in a broad range of applications including

computer memory, personal computers, workstations,

and other applications where high bandwidth and low

latency are required.

• 256MB Direct RDRAM storage and 256 banks total

on module

• High speed 1066MHz/800MHz Direct RDRAM

devices

• 184 edge connector pads with 1mm pad spacing

Module PCB size: 133.35mm × 34.925mm ×

1.27mm

The EBR25EC8ABFD consists of 8 pieces of 288M

Direct Rambus DRAM (Direct RDRAM) devices.

These are extremely high-speed CMOS DRAMs

organized as 16M words by 18 bits. The use of

Rambus Signaling Level (RSL) technology permits

1066MHz or 800MHz transfer rates while using

conventional system and board design technologies.

Gold plated edge connector pads contacts

• Serial Presence Detect (SPD) support

• Operates from a 2.5V supply

• Low power and power down self refresh modes

• Separate Row and Column buses for higher

efficiency

• RDRAM^devices use Chip Scale Package (CSP)

FBGA package

The architecture of the Direct RDRAM enables the

highest sustained bandwidth for multiple, simultaneous,

randomly addressed memory transactions.

The separate control and data buses with independent

row and column control yield over 95% bus efficiency.

The Direct RDRAM device's 32 banks support up to

four simultaneous transactions per device.

Document No. E0310E21 (Ver. 2.1)

Date Published March 2006 (K) Japan

URL: http://www.elpida.com

This product became EOL in April, 2004.

Elpida Memory, Inc. 2002-2006

12 3 4 5 6 7...12

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EBR25EC8ABFD-AD	ELPIDA	获取价格	256MB Direct Rambus™ DRAM RIMM™ Module
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EBR25EC8ABKD	ELPIDA	获取价格	256MB 32-bit Direct Rambus DRAM RIMM™ Module
EBR25EC8ABKD-8C	ELPIDA	获取价格	256MB 32-bit Direct Rambus DRAM RIMM™ Module
EBR25EC8ABKD-AD	ELPIDA	获取价格	256MB 32-bit Direct Rambus DRAM RIMM™ Module
EBR25EC8ABKD-AE	ELPIDA	获取价格	256MB 32-bit Direct Rambus DRAM RIMM™ Module
EBR25EC8ABKD-AEP	ELPIDA	获取价格	256MB 32-bit Direct Rambus DRAM RIMM™ Module
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EBR25EC8ABSA-8C	ELPIDA	获取价格	256MB Direct Rambus DRAM SO-RIMM Module

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