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EBJ81UG8EFU0-DJ-F

更新时间： 2024-02-01 06:36:10

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尔必达 - ELPIDA		动态存储器双倍数据速率内存集成电路
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18页	455K
描述
DDR DRAM Module, 2GX64, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204

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EBJ81UG8EFU0-DJ-F 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	DIMM,
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.75	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
其他特性：	SELF REFRESH; IT ALSO REQUIRES 1.5V NOM; WD-MAX	JESD-30 代码：	R-XZMA-N204
长度：	67.6 mm	内存密度：	68719476736 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	204	字数：	1073741824 words
字数代码：	1000000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1GX64	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	座面最大高度：	30.15 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	1.45 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.283 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.35 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子位置：	ZIG-ZAG	宽度：	3.8 mm
Base Number Matches：	1

EBJ81UG8EFU0-DJ-F 数据手册

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COVER

DATA SHEET

8GB DDR3L SDRAM SO-DIMM

EBJ81UG8EFU0 (1024M words  64 bits, 2 Ranks)

Specifications

Features

• Density: 8GB

• Organization

• Double-data-rate architecture: two data transfers per

clock cycle

• The high-speed data transfer is realized by the 8 bits

prefetch pipelined architecture

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

• Differential clock inputs (CK and /CK)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Data mask (DM) for write data

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• On-Die-Termination (ODT) for better signal quality

— Synchronous ODT

— Dynamic ODT

— Asynchronous ODT

• Multi Purpose Register (MPR) for pre-defined pattern

read out

• ZQ calibration for DQ drive and ODT

• Programmable Partial Array Self-Refresh (PASR)

• /RESET pin for Power-up sequence and reset function

• SRT range

— Normal/extended

• Programmable Output driver impedance control

— 1024M words  64 bits, 2 ranks

• Mounting 16 pieces of 4G bits DDR3L SDRAM sealed

in FBGA

• Package: 204-pin socket type small outline dual in-line

memory module (SO-DIMM)

— PCB height: 30.0mm

— Lead pitch: 0.60mm

— Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free

• Power supply: 1.35V (typ)

— VDD = 1.283V to 1.45V

— Backward compatible for VDD = 1.5V 0.075V

• Data rate: 1600Mbps/1333Mbps (max)

• Backward compatible to 1066Mbps/800Mbps

/667Mbps

• Eight internal banks for concurrent operation

(components)

• Burst lengths (BL): 8 and 4 with Burst Chop (BC)

• /CAS Latency (CL): 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11

• /CAS write latency (CWL): 5, 6, 7, 8

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles

— Average refresh period

7.8s at 0C TC  +85C

3.9s at +85C <TC  +95C

• Operating case temperature range

— TC = 0C to +95C

Document. No. E1937E30 (Ver. 3.0)

Date Published November 2012 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2012

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与EBJ81UG8EFU0-DJ-F相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EBJ81UG8EFU0-GN-F	ELPIDA	DDR DRAM Module, 2GX64, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SODIMM-204	获取价格
EBJ82HF4B1RA	ELPIDA	8GB Registered DDR3 SDRAM DIMM	获取价格
EBJ82HF4B1RA-8C-E	ELPIDA	8GB Registered DDR3 SDRAM DIMM	获取价格
EBJ82HF4B1RA-AE-E	ELPIDA	8GB Registered DDR3 SDRAM DIMM	获取价格
EBJA-XX-C-BK	ADAM-TECH	Vertical	获取价格
EBK02A	ADAM-TECH	EURO BLOCKS TS & EB SERIES	获取价格

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