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EBJ51ED8BAFA-AE-E

更新时间： 2024-11-25 18:55:47

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尔必达 - ELPIDA		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	182K
描述
DDR DRAM Module, 64MX72, 0.3ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

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EBJ51ED8BAFA-AE-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM240,40
针数：	240	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.3 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	533 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N240	JESD-609代码：	e4
内存密度：	4831838208 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	240
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	64MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM240,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.099 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	2.7 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

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PRELIMINARY DATA SHEET

512MB Unbuffered DDR3 SDRAM DIMM

EBJ51ED8CAFA, EBJ51ED8BAFA

(64M words × 72 bits, 1 Rank)

Specifications

Features

• Density: 512MB

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• Organization

• The high-speed data transfer is realized by the 8 bits

prefetch pipelined architecture

64M words × 72 bits, 1 rank

• Mounting 9 pieces of 512M bits DDR3 SDRAM

sealed in FBGA

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

• Package: 240-pin socket type dual in line memory

module (DIMM)

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

PCB height: 30.0mm

Lead pitch: 1.0mm

• Differential clock inputs (CK and /CK)

Lead-free (RoHS compliant)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Power supply: VDD = 1.5V ± 0.075V

• Data rate: 1333Mbps/1066Mbps/800Mbps (max.)

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Eight internal banks for concurrent operation

(components)

• Data mask (DM) for write data

• Interface: SSTL_15

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Burst lengths (BL): 8 and 4 with Burst Chop (BC)

• /CAS Latency (CL): 5, 6, 7, 8, 9

• /CAS write latency (CWL): 5, 6

• On-Die-Termination (ODT) for better signal quality

Synchronous ODT

Dynamic ODT

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

Asynchronous ODT

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles

• Multi Purpose Register (MPR) for temperature read

out

• ZQ calibration for DQ drive and ODT

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Programmable Partial Array Self-Refresh (PASR)

• /RESET pin for Power-up sequence and reset

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

function

• SRT range:

Normal/extended

Auto/manual self-refresh

• Programmable Output driver impedance control

Document No. E1006E20 (Ver. 2.0)

Date Published December 2007 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2007

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