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EBJ21UE8BAU0-AE-E

更新时间： 2024-11-21 21:08:03

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
18页	200K
描述
DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-204

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EBJ21UE8BAU0-AE-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SODIMM	包装说明：	DIMM, DIMM204,24
针数：	204	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	533 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XZMA-N204
JESD-609代码：	e4	内存密度：	17179869184 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	64
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	204	字数：	268435456 words
字数代码：	256000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	256MX64	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM204,24	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.208 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	2.88 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	0.6 mm	端子位置：	ZIG-ZAG
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

EBJ21UE8BAU0-AE-E 数据手册

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DATA SHEET

2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM

EBJ21UE8BAU0 (256M words × 64 bits, 2 Ranks)

Specifications

Features

• Density: 2GB

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• Organization

• The high-speed data transfer is realized by the 8 bits

prefetch pipelined architecture

256M words × 64 bits, 2 ranks

• Mounting 16 pieces of 1G bits DDR3 SDRAM sealed

in FBGA

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

• Package: 204-pin socket type small outline dual in

line memory module (SO-DIMM)

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

PCB height: 30.0mm

Lead pitch: 0.6mm

• Differential clock inputs (CK and /CK)

Lead-free (RoHS compliant)

(EBJ21UE8BAU0-xx-E)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

Lead-free (RoHS compliant) and Halogen-free

(EBJ21UE8BAU0-xx-F)

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Power supply: VDD = 1.5V ± 0.075V

• Data mask (DM) for write data

• Data rate: 1333Mbps/1066Mbps/800Mbps (max.)

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Eight internal banks for concurrent operation

(components)

• On-Die-Termination (ODT) for better signal quality

Synchronous ODT

• Interface: SSTL_15

• Burst lengths (BL): 8 and 4 with Burst Chop (BC)

• /CAS Latency (CL): 6, 7, 8, 9

Dynamic ODT

Asynchronous ODT

• /CAS write latency (CWL): 5, 6, 7

• Multi Purpose Register (MPR) for temperature read

out

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• ZQ calibration for DQ drive and ODT

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles

• Programmable Partial Array Self-Refresh (PASR)

• /RESET pin for Power-up sequence and reset

function

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• SRT range:

Normal/extended

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

Auto/manual self-refresh

• Programmable Output driver impedance control

Document No. E1244E40 (Ver. 4.0)

Date Published December 2008 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2007-2008

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EBJ21UE8BAU0-DG-F	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-204
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