是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DMA | 包装说明: | DIMM, DIMM204,24 |
针数: | 204 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.36 |
风险等级: | 5.83 | 访问模式: | DUAL BANK PAGE BURST |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 400 MHz |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-XDMA-N204 |
内存密度: | 17179869184 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM MODULE |
内存宽度: | 64 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 204 |
字数: | 268435456 words | 字数代码: | 256000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256MX64 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装代码: | DIMM | 封装等效代码: | DIMM204,24 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 1.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
自我刷新: | YES | 最大待机电流: | 0.192 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 2.6 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 1.575 V | 最小供电电压 (Vsup): | 1.425 V |
标称供电电压 (Vsup): | 1.5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子形式: | NO LEAD | 端子节距: | 0.6 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
EBJ21UE8BASA-AE-E | ELPIDA |
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DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN | |
EBJ21UE8BASA-DJ-E | ELPIDA |
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DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SO-DIMM, 204 PIN | |
EBJ21UE8BAU0-8C-E | ELPIDA |
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DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 | |
EBJ21UE8BAU0-8C-F | ELPIDA |
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DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 | |
EBJ21UE8BAU0-AC-E | ELPIDA |
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DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 | |
EBJ21UE8BAU0-AC-F | ELPIDA |
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DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 | |
EBJ21UE8BAU0-AE-E | ELPIDA |
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DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 | |
EBJ21UE8BAU0-AE-F | ELPIDA |
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DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 | |
EBJ21UE8BAU0-AG-F | ELPIDA |
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DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 | |
EBJ21UE8BAU0-DG-E | ELPIDA |
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DDR DRAM Module, 256MX64, CMOS, ROHS COMPLIANT, SODIMM-204 |