Datasheet > 存储 > DRAM> EBJ20RE4BAFA-8C-E

EBJ20RE4BAFA-8C-E

更新时间： 2024-11-05 06:55:31

品牌	Logo	应用领域
尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数	文件大小	规格书
20页	218K
描述
2GB Registered DDR3 SDRAM DIMM

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

EBJ20RE4BAFA-8C-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM240,40
针数：	240	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	SINGLE BANK PAGE BURST	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XDMA-N240	JESD-609代码：	e4
内存密度：	19327352832 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	240
字数：	268435456 words	字数代码：	256000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	256MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM240,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	最大待机电流：	0.94 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	4.51 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.575 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.425 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

EBJ20RE4BAFA-8C-E 数据手册

浏览型号EBJ20RE4BAFA-8C-E的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号EBJ20RE4BAFA-8C-E的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号EBJ20RE4BAFA-8C-E的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号EBJ20RE4BAFA-8C-E的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号EBJ20RE4BAFA-8C-E的Datasheet PDF文件第6页

DATA SHEET

2GB Registered DDR3 SDRAM DIMM

EBJ20RE4BAFA (256M words × 72 bits, 1 Rank)

Specifications

Features

• Density: 2GB

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• Organization

• The high-speed data transfer is realized by the 8 bits

prefetch pipelined architecture

256M words × 72 bits, 1 rank

• Mounting 18 pieces of 1G bits DDR3 SDRAM sealed

in FBGA

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

• Package: 240-pin socket type dual in line memory

module (DIMM)

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

PCB height: 30.5mm (max.)

Lead pitch: 1.0mm

• Differential clock inputs (CK and /CK)

Lead-free (RoHS compliant)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Power supply: VDD = 1.5V ± 0.075V

• Data rate: 1333Mbps/1066Mbps/800Mbps (max.)

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Eight internal banks for concurrent operation

(components)

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Interface: SSTL_15

• On-Die-Termination (ODT) for better signal quality

Synchronous ODT

• Burst lengths (BL): 8 and 4 with Burst Chop (BC)

• /CAS Latency (CL): 6, 7, 8, 9

Dynamic ODT

• /CAS write latency (CWL): 5, 6, 7

Asynchronous ODT

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Multi Purpose Register (MPR) for temperature read

out

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles

• ZQ calibration for DQ drive and ODT

• Programmable Partial Array Self-Refresh (PASR)

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• /RESET pin for Power-up sequence and reset

function

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

• SRT range:

Normal/extended

Auto/manual self-refresh

• Programmable Output driver impedance control

• 1 piece of registering clock driver and 1 piece of

serial EEPROM (256 bytes EEPROM) for Presence

Detect (PD)

• Class B temperature sensor functionality with

EEPROM

Document No. E1253E40 (Ver. 4.0)

Date Published December 2008 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2007-2008

12 3 4 5 6 7...20

中文翻译

下载PDF

与EBJ20RE4BAFA-8C-E相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
EBJ20RE4BAFA-AE-E	ELPIDA	获取价格	2GB Registered DDR3 SDRAM DIMM
EBJ20RE4BAFA-AG-E	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.3ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240
EBJ20RE4BAFA-DG-E	ELPIDA	获取价格	DDR DRAM Module, 256MX72, 0.255ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240
EBJ20RE4BAFA-DJ-E	ELPIDA	获取价格	2GB Registered DDR3 SDRAM DIMM
EBJ20UF8BCF0	ELPIDA	获取价格	2GB Unbuffered DDR3 SDRAM DIMM
EBJ20UF8BCF0-DJ-F	ELPIDA	获取价格	2GB Unbuffered DDR3 SDRAM DIMM
EBJ20UF8BCF0-GN-F	ELPIDA	获取价格	2GB Unbuffered DDR3 SDRAM DIMM
EBJ20UF8BCS0	ELPIDA	获取价格	2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
EBJ20UF8BCS0-DJ-F	ELPIDA	获取价格	2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM
EBJ20UF8BCS0-GN-F	ELPIDA	获取价格	2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM

与EBJ20RE4BAFA-8C-E相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

14
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

10
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

36
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

EBJ20RE4BAFA-8C-E

EBJ20RE4BAFA-8C-E 技术参数

EBJ20RE4BAFA-8C-E 数据手册

与EBJ20RE4BAFA-8C-E相关器件

与EBJ20RE4BAFA-8C-E相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

EBJ20RE4BAFA-8C-E

EBJ20RE4BAFA-8C-E 技术参数

EBJ20RE4BAFA-8C-E 数据手册

与EBJ20RE4BAFA-8C-E相关器件

与EBJ20RE4BAFA-8C-E相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？