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EBJ10RE8BAFT-DJ-E

更新时间： 2024-01-04 04:05:28

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尔必达 - ELPIDA		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
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描述
DDR DRAM Module, 128MX72, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240

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EBJ10RE8BAFT-DJ-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	DIMM, DIMM240,40	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	最大时钟频率 (fCLK)：	667 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDMA-N240
内存密度：	9663676416 bit	内存宽度：	72
端子数量：	240	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	最高工作温度：	95 °C
最低工作温度：		组织：	128MX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM240,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源：	1.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	最大待机电流：	0.88 A
子类别：	Other Memory ICs	最大压摆率：	3.5 mA
标称供电电压 (Vsup)：	1.5 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子形式：	NO LEAD	端子节距：	1 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

EBJ10RE8BAFT-DJ-E 数据手册

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DATA SHEET

1GB Registered DDR3 SDRAM DIMM

EBJ10RE8BAFP

EBJ10RE8BAFT

(128M words × 72 bits, 1 Rank)

Specifications

Features

• Density: 1GB

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• Organization

• The high-speed data transfer is realized by the 8 bits

prefetch pipelined architecture

128M words × 72 bits, 1 rank

• Mounting 9 pieces of 1G bits DDR3 SDRAM sealed

in FBGA

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

• Package: 240-pin socket type dual in line memory

module (DIMM)

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

PCB height: 30.5mm (max.)

Lead pitch: 1.0mm

• Differential clock inputs (CK and /CK)

Lead-free (RoHS compliant)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Power supply: VDD = 1.5V ± 0.075V

• Data rate: 1333Mbps/1066Mbps/800Mbps (max.)

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Eight internal banks for concurrent operation

(components)

• Data mask (DM) for write data

• Interface: SSTL_15

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Burst lengths (BL): 8 and 4 with Burst Chop (BC)

• /CAS Latency (CL): 6, 7, 8, 9

• On-Die-Termination (ODT) for better signal quality

Synchronous ODT

• /CAS write latency (CWL): 5, 6, 7

Dynamic ODT

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

Asynchronous ODT

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles

• Multi Purpose Register (MPR) for temperature read

out

• ZQ calibration for DQ drive and ODT

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Programmable Partial Array Self-Refresh (PASR)

• /RESET pin for Power-up sequence and reset

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

function

• SRT range:

Normal/extended

Auto/manual self-refresh

• Programmable Output driver impedance control

• 1 piece of registering clock driver and 1 piece of

serial EEPROM (256 bytes EEPROM) for Presence

Detect (PD)

• Class B temperature sensor functionality with

EEPROM

Document No. E1219E40 (Ver. 4.0)

Date Published December 2008 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2007-2008

12 3 4 5 6 7...21

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与EBJ10RE8BAFT-DJ-E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
EBJ10UE8BBF0-8C-F	ELPIDA	DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240	获取价格
EBJ10UE8BBF0-DJ-F	ELPIDA	DDR DRAM Module, 128MX64, CMOS, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, DIMM-240	获取价格
EBJ10UE8BDF0	ELPIDA	1GB Unbuffered DDR3 SDRAM DIMM	获取价格
EBJ10UE8BDF0-AE-F	ELPIDA	1GB Unbuffered DDR3 SDRAM DIMM	获取价格
EBJ10UE8BDF0-DJ-F	ELPIDA	1GB Unbuffered DDR3 SDRAM DIMM	获取价格
EBJ10UE8BDF0-GN-F	ELPIDA	1GB Unbuffered DDR3 SDRAM DIMM	获取价格

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