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EBE82FF4A1RQ-6E-E

更新时间： 2024-09-18 06:55:27

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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描述
8GB Fully Buffered DIMM

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EBE82FF4A1RQ-6E-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM240,40
针数：	240	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.45 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	333 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N240
内存密度：	77309411328 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE
内存宽度：	72	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	240
字数：	1073741824 words	字数代码：	1000000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	1GX72
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装代码：	DIMM	封装等效代码：	DIMM240,40
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
自我刷新：	YES	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	5.7 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

EBE82FF4A1RQ-6E-E 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET

8GB Fully Buffered DIMM

EBE82FF4A1RQ

Specifications

Features

• Density: 8GB

• JEDEC standard Raw Card AA Design

• Organization

• Industry Standard Advanced Memory Buffer (AMB)

1024M words × 72 bits, 4 ranks

• High-speed differential point-to-point link interface at

1.5V (JEDEC spec)

• Mounting 36 pieces of 2G bits DDR2 SDRAM with

DDP (FBGA)

14 north-bound (NB) high speed serial lanes

10 south-bound (SB) high speed serial lanes

• Various features/modes:

DDP: 2 pieces of 1Gb chips sealed in one package

• Package

240-pin fully buffered, socket type dual in line

memory module (FB-DIMM)

MemBIST and IBIST test functions

Transparent mode and direct access mode for

DRAM testing

PCB height: 30.35mm

Lead pitch: 1.00mm

Interface for a thermal sensor and status indicator

Advanced Memory Buffer (AMB): 655-ball FCBGA

Lead-free (RoHS compliant)

• Power supply

• Channel error detection and reporting

• Automatic DDR2 SDRAM bus and channel

calibration

• SPD (serial presence detect) with 1piece of 256 byte

serial EEPROM

DDR2 SDRAM: VDD = 1.8V ± 0.1V

AMB: VCC = 1.5V +0.075V/ −0.045V

• Data rate: 667Mbps (max.)

Note: Warranty void if removed DIMM heat

spreader.

• Eight internal banks for concurrent operation

(components)

• Interface: SSTL_18

• Burst lengths (BL): 4, 8

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5

• Precharge: auto precharge option for each burst

access

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

Performance

FB-DIMM

DDR2 SDRAM

System clock

frequency

Peak channel

throughput

Speed grade

PC2-5300F

FB-DIMM link data rate

4.0Gbps

Speed Grade

DDR data rate

667Mbps

167MHz

8.0GByte/s

DDR2-667 (5-5-5)

Document No. E1242E20 (Ver. 2.0)

Date Published February 2008 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2007-2008

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