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EBE41EF8ABFA-8G-E

更新时间： 2024-11-07 06:55:27

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尔必达 - ELPIDA		存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
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描述
4GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

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EBE41EF8ABFA-8G-E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIMM	包装说明：	DIMM, DIMM240,40
针数：	240	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.36
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	DUAL BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.4 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	400 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-XDMA-N240
JESD-609代码：	e4	内存密度：	38654705664 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM MODULE	内存宽度：	72
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	240	字数：	536870912 words
字数代码：	512000000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：
组织：	512MX72	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	DIMM
封装等效代码：	DIMM240,40	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.27 A	子类别：	Other Memory ICs
最大压摆率：	3.15 mA	最大供电电压 (Vsup)：	1.9 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	OTHER	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

EBE41EF8ABFA-8G-E 数据手册

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PRELIMINARY DATA SHEET

4GB Unbuffered DDR2 SDRAM DIMM

EBE41EF8ABFA (512M words × 72 bits, 2 Ranks)

Specifications

Features

• Density: 4GB

• Double-data-rate architecture; two data transfers per

clock cycle

• Organization

• The high-speed data transfer is realized by the 4 bits

prefetch pipelined architecture

512M words × 72 bits, 2 ranks

• Mounting 18 pieces of 2G bits DDR2 SDRAM sealed

in FBGA

• Bi-directional differential data strobe (DQS and /DQS)

is transmitted/received with data for capturing data at

the receiver

• Package: 240-pin socket type dual in line memory

module (DIMM)

• DQS is edge-aligned with data for READs; center-

aligned with data for WRITEs

PCB height: 30.0mm

Lead pitch: 1.0mm

• Differential clock inputs (CK and /CK)

Lead-free (RoHS compliant)

• Power supply: VDD = 1.8V ± 0.1V

• Data rate: 800Mbps/667Mbps (max.)

• DLL aligns DQ and DQS transitions with CK

transitions

• Commands entered on each positive CK edge; data

and data mask referenced to both edges of DQS

• Eight internal banks for concurrent operation

(components)

• Data mask (DM) for write data

• Interface: SSTL_18

• Posted /CAS by programmable additive latency for

better command and data bus efficiency

• Burst lengths (BL): 4, 8

• /CAS Latency (CL): 3, 4, 5, 6

• Off-Chip-Driver Impedance Adjustment and On-Die-

Termination for better signal quality

• Precharge: auto precharge option for each burst

• /DQS can be disabled for single-ended Data Strobe

access

operation

• Refresh: auto-refresh, self-refresh

• Refresh cycles: 8192 cycles/64ms

Average refresh period

7.8µs at 0°C ≤ TC ≤ +85°C

3.9µs at +85°C < TC ≤ +95°C

• Operating case temperature range

TC = 0°C to +95°C

Document No. E1285E10 (Ver. 1.0)

Date Published February 2008 (K) Japan

Printed in Japan

URL: http://www.elpida.com

Elpida Memory, Inc. 2008

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