Datasheet > E5V0UUHH2C

E5V0UUHH2C

更新时间： 2024-11-21 14:54:19

品牌	Logo	应用领域
先科 - SWST		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	194K
描述
静电保护二极管

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

E5V0UUHH2C 数据手册

E5V0UUHH2C

ESD Protection Diode

Features

• Ultra-low capacitance

• Ultra-low leakage current

• Low clamping voltage

Bottom view

DFN1006-3HF Plastic Package

1. Cathode 2. Cathode 3. Anode

Bottom View

Applications

• Portable Electronics and Notebooks

• SATA and eSATA

• PCI Express

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

I_PP

Air

Contact

± 20

IEC61000-4-2 (ESD)

V_ESD

Operation Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

125

℃

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

Reverse Current

at V_R= 5 V

I_R

100

1.2

Forward Voltage

at I_F= 10 mA

V_F

0.6

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A , tp = 8/20 µs

at I_PP= 4 A , tp = 8/20 µs

ESD Clamping Voltage ¹⁾

at I_TLP= 16 A , tp = 100 ns

V_C

V_CL

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz, Pin1 or 2 to Pin3

at V_R= 0 V, f = 1 MHz, Between Pin1 and Pin2

C_j

0.4

0.25

0.65

0.4

Dynamic Resistance ¹⁾

R_DYN

0.65

Ω

¹⁾TLP parameter: Z₀= 50 ꢀ , t_p= 100ns, t_r= 2ns, averaging window from 60ns to 80ns. R_DYNis calculated from 4A to 16A .

1 / 3

Dated: 01/03/2023 6M Rev : 02

12 3

中文翻译

下载PDF

与E5V0UUHH2C相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
E5V0UUPG2C	SWST	获取价格	静电保护二极管
E5V0UUPG2C-AH	SWST	获取价格	静电保护二极管
E5V0UVPC1C	SWST	获取价格	静电保护二极管
E5V0UVPC1C-AH	SWST	获取价格	静电保护二极管
E5V0VBPD1A	SWST	获取价格	静电保护二极管
E5V0VBPD1A-AH	SWST	获取价格	静电保护二极管
E5V0VUD4G	SWST	获取价格	静电保护二极管
E5V0VUD4M	SWST	获取价格	静电保护二极管
E5V0VUD4MA	SWST	获取价格	静电保护二极管
E5V0VUDE2H	SWST	获取价格	静电保护二极管