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E5V0UBPH2B

更新时间： 2024-11-21 14:54:39

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先科 - SWST		二极管
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3页	201K
描述
静电保护二极管

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E5V0UBPH2B 数据手册

E5V0UBPH2B

ESD Protection Diode

Features

• Low clamping voltage

• Low operating voltage

Bottom view

DFN1006-3B Plastic Package

1. Anode 2. Anode 3. Anode

Bottom View

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

P_PK

I_PP

100

Air

Contact

± 25

± 23

IEC61000-4-2 (ESD)

V_ESD

Operation Junction Temperature

Storage Temperature Range

T_j

125

℃

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Working Peak Reverse Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

100

Reverse Current

at V_R= 5 V

I_R

Clamping Voltage

at I_PP= 4 A , tp = 8/20 µs

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

16.7

31.6

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

0.5

R_dyn

1.2

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated: 14/01/2023 Rev : 02

12 3

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