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E5V0UBPC1A

更新时间： 2024-11-21 14:56:03

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先科 - SWST		二极管
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3页	202K
描述
静电保护二极管

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E5V0UBPC1A 数据手册

E5V0UBPC1A

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Anode

Features

• Ultra low capacitance

• Ultra small SMD package

Transparent top view

Simplified outline DFN1006-2H and symbol

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

100

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

I_PP

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

Air

Contact

± 25

± 23

ESD (IEC61000-4-2)

V_ESD

Junction Temperature

T_j

125

℃

Storage Temperature Range

T_stg

- 65 to + 150

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

100

Reverse Current

at V_RWM= 5 V

I_R

Clamping Voltage

at I_PP= 4 A, tp = 8/20 μs

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

16.7

31.6

Junction Capacitance

at V^R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_J

0.5

R_dyn

1.24

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4 A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated: 04/07/2023 Rev: 03

12 3

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