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E5V0LUD2M

更新时间： 2024-11-06 14:54:07

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先科 - SWST		二极管
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3页	211K
描述
静电保护二极管

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E5V0LUD2M 数据手册

E5V0LUD2M

ESD Protection Diode

Features

• Low capacitance

1. I/O 2. GND 3. NC

4. NC 5. V_CC6. I/O

Marking Code : 5J

SOT-26 Plastic package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

Unit

Peak Power Dissipation (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

375

I_PP

ESD per IEC 61000-4-2 (Air)

ESD per IEC 61000-4-2 (Contact)

V_PP

IEC 61000−4−4 (5/50 ns)

EFT

T_j

Operating junction Temperature Range

Storage Temperature Range

- 40 to + 125

- 55 to + 150

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

Min.

Max.

Unit

Reverse Voltage

at Pin 5 to 2

V_RWM

V_BR

I_R

Reverse Breakdown Voltage

at I_T= 1 mA, Pin 1,6 to Pin 2

at I_T= 1 mA, Pin 5 to 2

5.6

Leakaeg Current

at V_R= 5 V

μA

Clamping Voltage

at I_PP= 5 A, tp = 8/20 µs, Pin 1,6 to Pin 2

at I_PP= 8 A, tp = 8/20 µs, Pin 1,6 to Pin 2

at I_PP= 25 A, tp = 8/20 µs, Pin 1,6 to Pin 2

V_C

C_j

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz, Between I/O Pins to GND

at V_R= 0 V, f = 1 MHz, Between I/O Pins

1 / 3

Dated: 01/02/2021 Rev: 01

12 3

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