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E3V3SBPB1A

更新时间： 2023-12-06 20:11:21

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先科 - SWST		二极管
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3页	198K
描述
静电保护二极管

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E3V3SBPB1A 数据手册

E3V3SBPB1A

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Anode

Features

• High reliability

Anode

• Bi-directional ESD protection

Applications

Transparent top view

Simplified outline DFN0603-2BV and symbol

• Cellular handsets and accessories

• Portable electronics

• Data lines

• Audio and video equipment

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

Power Dissipation

I_PP

8.2

100

P_tot

ESD contact discharge (IEC61000-4-2)

Air

Contact

± 30

V_ESD

125

℃

Junction Temperature

T_J

- 55 to + 150

Storage Temperature Range

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

3.3

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

Reverse Current

at V_RWM= 3.3 V

Clamping Voltage

I_R

100

at I_PP= 4 A, tp = 8/20 µs

at I_PP= 8.2 A, tp = 8/20 µs

V_C

7.3

8.5

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A , tp = 0.2/100 ns

at I_TLP= 16 A , tp = 0.2/100 ns

V_CL

5.4

7.6

Junction Capacitance

at V_R= 0 V , f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

R_DYN

0.18

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated: 31/03/2023 Rev: 03

12 3

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