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E3V3MBPD1A

更新时间： 2023-12-06 20:11:18

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先科 - SWST		二极管
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3页	201K
描述
静电保护二极管

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E3V3MBPD1A 数据手册

E3V3MBPD1A

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Anode

Features

• Low leakage current

Anode

Applications

• Cellular phones audio

• Digital cameras

Transparent top view

Simplified outline DFN1006-2B and symbol

• Portable applicationss

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

Symbol

Value

350

Unit

P_PK

I_PP

Air

Contact

± 30

ESD (IEC61000-4-2)

V_ESD

Operating Junction Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 125

- 55 to + 150

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

3.3

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

4.8

6.5

Reverse Current

at V_RWM= 3.3 V

I_R

100

Clamping Voltage

at I_PP= 1 A , tp = 8/20 µs

at I_PP= 6 A , tp = 8/20 µs

at I_PP= 24 A , tp = 8/20 µs

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

7.3

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

R_dyn

0.1

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated : 09/08/2023 Rev : 02

12 3

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