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E3V3LUD4Q

更新时间： 2023-12-06 20:11:07

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先科 - SWST		二极管
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3页	269K
描述
静电保护二极管

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E3V3LUD4Q 数据手册

E3V3LUD4Q

ESD protection Diode

Features

• Low capacitance

• Low clamping voltage

1. I/O1 2. GND 3. I/O2

4. I/O3 5. NC 6. I/O4

Marking Code : E3

SOT-26 Plastic package

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

ESD per IEC 61000-4-2

350

I_PP

Air

Contact

± 30

V_ESD

Operating Temperature Range

Storage Temperature Range

T_j

- 55 to + 125

- 55 to + 150

℃

T_stg

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Typ.

Symbol

V_RWM

Min.

Max.

3.3

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

3.5

Reverse Current

at V_R= 3.3 V

I_R

0.5

μA

Clamping Voltage

6.9

8.1

9.5

at I_PP= 1 A , tp = 8/20 µs

at I_PP= 5 A , tp = 8/20 µs

at I_PP= 10 A , tp = 8/20 µs

at I_PP= 15 A , tp = 8/20 µs

at I_PP= 22 A , tp = 8/20 µs

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP=4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_C

7.8

9.9

Dynamic Resistance ¹⁾

R_dyn

C_j

0.18

Ω

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated: 13/05/2021 Rev: 02

12 3

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