5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | R-XXMA-X | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.77 |
| 配置： | BRIDGE, 4 ELEMENTS | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | BRIDGE RECTIFIER DIODE | JESD-30 代码： | R-XXMA-X |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 4 |
| 相数： | 1 | 封装主体材料： | UNSPECIFIED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | UNSPECIFIED | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| E34120M1EBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| E34120M1EN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
|
| E34120M1FBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| E34120M1FC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| E34120M1TB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| E34120M1TN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| E34120N1EB1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
|
| E34120N1EBC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| E34120N1EC1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, Silicon, |
|
| E34120N1EN1S | MICROSEMI |
获取价格 |
Silicon Power Rectifier Assemblies Plate Heatsink |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
