Datasheet > 存储 > 闪存> E28F320S5-110

E28F320S5-110

更新时间： 2024-02-08 04:21:19

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		闪存内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
50页	1219K
描述
WORD-WIDE FlashFile MEMORY FAMILY

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E28F320S5-110 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP1, TSSOP56,.8,20	针数：	56
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.88
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	110 ns
备用内存宽度：	16	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	NO
JESD-30 代码：	R-PDSO-G56	JESD-609代码：	e0
长度：	18.4 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
功能数量：	1	部门数/规模：	64
端子数量：	56	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	4MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1
封装等效代码：	TSSOP56,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	页面大小：	16/32 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	64K
最大待机电流：	0.00002 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.03 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	MOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
切换位：	NO	类型：	NOR TYPE
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

E28F320S5-110 数据手册

ADVANCE INFORMATION

WORD-WIDE

FlashFile™ MEMORY FAMILY

28F160S5, 28F320S5

Includes Extended Temperature Specifications

Two 32-Byte Write Buffers

Cross-Compatible Command Support

Intel Standard Command Set

2 µs per Byte Effective

Programming Time

Common Flash Interface (CFI)

Scaleable Command Set (SCS)

Operating Voltage

5V V_CC

100,000 Block Erase Cycles

5V V_PP

Enhanced Data Protection Features

Absolute Protection with V_PP= GND

Flexible Block Locking

70 ns Read Access Time (16 Mbit)

90 ns Read Access Time (32 Mbit)

Block Erase/Program Lockout

during Power Transitions

High-Density Symmetrically-Blocked

Architecture

32 64-Kbyte Erase Blocks (16 Mbit)

64 64-Kbyte Erase Blocks (32 Mbit)

Configurable x8 or x16 I/O

Automation Suspend Options

Program Suspend to Read

System Performance Enhancements

STS Status Output

Block Erase Suspend to Program

Block Erase Suspend to Read

Industry-Standard Packaging

SSOP and TSOP (16 Mbit)

SSOP (32 Mbit)

ETOX™ V Nonvolatile Flash

Technology

Intel’s Word-Wide FlashFile™ memory family provides high-density, low-cost, nonvolatile, read/write storage

solutions for a wide range of applications. The word-wide memories are available at various densities in the

same package type. Their symmetrically-blocked architecture, voltage, and extended cycling provide highly

flexible components suitable for resident flash arrays, SIMMs, and memory cards. Enhanced suspend

capabilities provide an ideal solution for code or data storage applications. For secure code storage

applications, such as networking, where code is either directly executed out of flash or downloaded to DRAM,

the word-wide memories offer three levels of protection: absolute protection with V_PPat GND, selective block

locking, and program/erase lockout during power transitions. These alternatives give designers ultimate

control of their code security needs.

This family of products is manufactured on Intel’s 0.4 µm ETOX™ V process technology. It comes in the

industry-standard 56-lead SSOP. In addition, the 16-Mb device is available in the industry-standard 56-lead

TSOP package.

June 1997

Order Number: 290609-001

12 3 4 5 6 7...50

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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E28F400B5B80	INTEL	获取价格	SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY 2, 4, 8 MBIT
E28F400B5-B80	INTEL	获取价格	512KX8 FLASH 5V PROM, 80ns, PDSO48, 12 X 20 MM, TSOP-48
E28F400B5T60	INTEL	获取价格	SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY 2, 4, 8 MBIT
E28F400B5T80	INTEL	获取价格	SMART 5 BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY 2, 4, 8 MBIT
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