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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TSOP |
| 包装说明： | 10 X 20 MM, TSOP-40 | 针数： | 40 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 5.78 |
| 最长访问时间： | 180 ns | 其他特性： | CAN BE OPERATED IN 4.5V TO 5.5V; BOTTOM BOOT BLOCK |
| 启动块： | BOTTOM | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO | 耐久性： | 100000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G40 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 2097152 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 1,2,1,1 | 端子数量： | 40 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP1 | 封装等效代码： | TSSOP40,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3.3/5 V |
| 编程电压： | 5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 16K,8K,96K,128K |
| 最大待机电流： | 0.000008 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.065 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | MOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 切换位： | NO | 类型： | NOR TYPE |
| 宽度： | 10 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| E28F002BVB60 | INTEL | 2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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| E28F002BV-B60 | INTEL | Flash, 256KX8, 110ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40 |
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| E28F002BVB80 | INTEL | 2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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| E28F002BV-B80 | INTEL | Flash, 256KX8, 150ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40 |
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| E28F002BVT120 | INTEL | 2-MBIT SmartVoltage BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY |
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| E28F002BV-T120 | INTEL | Flash, 256KX8, 180ns, PDSO40, 10 X 20 MM, TSOP-40 |
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