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E12VHBWB1A

更新时间： 2024-02-23 09:11:15

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先科 - SWST		二极管
页数	文件大小	规格书
4页	249K
描述
静电保护二极管

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E12VHBWB1A 数据手册

E12VHBWB1A

ESD Protection Diode

PINNING

DESCRIPTION

Anode

Features

Anode

• Excellent clamping capability

• Low leakage

• Fast response time

Top View

Simplified outline SOD-323(Bend Lead) and symbol

Absolute Maximum Ratings (at T_a= 25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

Symbol

Value

180

Unit

P_PK

I_PP

7.5

Air

Contact

± 30

IEC61000-4-2 (ESD)

V_ESD

Operating Temperature

T_j

125

℃

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25℃ unless otherwise specified

Parameter

Symbol

V_RWM

Min.

Typ.

Max.

Unit

Reverse Stand-Off Voltage

Reverse Breakdown Voltage

at I_R= 1 mA

V_(BR)R

14.1

Reverse Current

at V_RWM= 12 V

I_R

100

Clamping Voltage

V_C

19.6

at I_PP= 5 A , tp = 8/20 µs

at I_PP=7.5 A , tp = 8/20 µs

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns

V_CL

Junction Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz

C_j

Dynamic Resistance

R_dyn

0.25

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4 A to I_TLP= 16 A .

1 / 4

Dated: 23/07/2021 Rev: 01

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