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E12SBKB2B

更新时间： 2023-12-06 20:03:49

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先科 - SWST		二极管
页数	文件大小	规格书
3页	229K
描述
静电保护二极管

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E12SBKB2B 数据手册

E12SBKB2B

ESD Protection Diode

Features

• Low leakage

• Fast response time

• Excellent clamping capability

1. I/O 2. I/O 3. GND

Applications

• Cell Phones

• Audio Interface Connections

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25℃)

Parameter

Symbol

P_PK

Value

100

Unit

Peak Pulse Power (tp = 8/20 µs)

Peak Pulse Current (tp = 8/20 µs)

I_PP

Air

Contact

± 15

± 8

ESD (IEC61000-4-2)

V_ESD

Junction Temperature

T_j

125

℃

Storage Temperature Range

T_stg

- 55 to + 150

Characteristics at T_a= 25℃

Parameter

Symbol

Min.

Typ.

Max.

Unit

Working Peak Reverse Voltage

V_RWM

Breakdown Voltage

at I_R= 10 mA, Any I/O to GND

V(_BR)R

Reverse Current

at V_RWM= 12 V, Any I/O to GND

I_R

100

Clamping Voltage

at I_PP= 4 A , tp = 8/20 µs, Any I/O to GND

V_C

ESD Clamping Voltage

at I_TLP= 4 A, tp = 0.2/100 ns, Any I/O to GND

at I_TLP=16 A, tp = 0.2/100 ns, Any I/O to GND

V_CL

17.1

Total Capacitance

at V_R= 0 V, f = 1 MHz, Any I/O to GND

Dynamic Resistance ¹⁾

C_j

R_dyn

0.41

Ω

¹⁾Dynamic Resistance calculated from I_TLP= 4A to I_TLP= 16 A .

1 / 3

Dated：28/08/2023 Rev : 01

12 3

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