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DZB10C PDF预览

DZB10C

更新时间： 2024-02-22 00:42:08
品牌 Logo 应用领域
三洋 - SANYO 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
2页 42K
描述
1.0W Zener Diodes

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DZB10C 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：PLASTIC, 1083, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.92
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：ZENER DIODE
最大动态阻抗：30 ΩJESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：1 W
认证状态：Not Qualified标称参考电压：10 V
子类别：Voltage Reference Diodes表面贴装：NO
技术：ZENER端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED最大电压容差：5%
工作测试电流：10 mABase Number Matches：1

DZB10C 数据手册

 浏览型号DZB10C的Datasheet PDF文件第2页 
Ordering number :EN653F  
DZB6.2 to DZB30  
Sillicon Diffused Junction Type  
1.0W Zener Diodes  
Features  
Package Dimensions  
unit:mm  
· Plastic molded structure.  
· Voltage regulator use.  
· Power dissipation:P=1.0W.  
1083  
[DZB6.2 to DZB30]  
· Zener voltage:V =6.2 to 30V  
Z
C:Cathode  
A:Anode  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta = 25˚C  
Parameter  
Symbol  
P
Conditions  
Ratings  
Unit  
Power Dissipation  
1.0  
150  
W
Junction Temperature  
Storage Temperature  
Tj  
˚C  
˚C  
Tstg  
–40 to +150  
Electrical Characteristics at Ta = 25˚C  
Type No.  
Zener Characteristics  
Forward Voltage Drop  
Reverse Current  
Zener Voltage  
Dynamic  
Resistance  
Measured  
Current  
Measured  
Current  
[A]  
Measured  
Voltage  
[V]  
V
Z
V
I
R
F
[V]  
[Ω]  
I
[V]  
[µA]  
Z
[mA]  
max  
max  
typ  
6.2  
6.8  
7.5  
8.2  
9.1  
10  
min  
5.60  
max  
6.80  
max  
60  
60  
30  
30  
30  
30  
30  
30  
30  
30  
30  
DZB6.2U  
6.8C  
7.5C  
8.2C  
9.1C  
10C  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
–2.0  
–3.0  
–4.5  
–4.9  
–5.5  
–6.0  
–7.0  
–8.0  
–9.0  
–10.0  
–11.0  
6.45  
7.14  
7.13  
7.81  
7.79  
8.61  
8.65  
9.55  
9.50  
10.50  
11.50  
12.60  
13.60  
15.80  
16.80  
11C  
11  
10.50  
11.40  
12.40  
14.30  
15.20  
12C  
12  
13C  
13  
15C  
15  
16C  
16  
18C  
18  
20  
22  
24  
27  
30  
17.10  
19.00  
20.90  
22.80  
25.70  
28.50  
18.90  
21.00  
23.10  
25.20  
28.30  
31.50  
30  
30  
30  
30  
30  
30  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
2
2
2
2
2
2
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
0.2  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
–10  
–13.0  
–14.0  
–16.0  
–17.0  
–19.0  
–21.0  
20C  
22C  
24C  
27C  
30C  
SANYO Electric Co.,Ltd. Semiconductor Bussiness Headquarters  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
33098HA (KT)/13196GI/2089TA/1199MO/9205KI, TS No.653-1/2  
12

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