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DTS2315

更新时间： 2024-10-15 18:10:03

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描述
P-Channel MOSFET

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数据手册

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DTS2315 数据手册

SMD Type

MOSFET

P-Channel Enhancement MOSFET

DTS2315

SOT-23

Unit: mm

+0.1

-0.1

2.9

■ Features

+0.1

0.4_-0.1

● VDS (V) =-20V

● ID =-3.85A (VGS =-4.5V)

● RDS(ON) ＜48mΩ (VGS =-4.5V)

● RDS(ON) ＜ 65mΩ (VGS =-2.5V)

● RDS(ON) ＜ 100mΩ (VGS =-1.8V)

+0.1

-0.1

+0.05

-0.01

0.95

0.1

+0.1

-0.1

1.9

1.Gate

2.Source

3.Drain

■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25℃

Parameter

Symbol

5 sec

Steady State

Unit

-20

Drain-Source Voltage

VDS

±10

Gate-Source Voltage

-3.85

-3.0

Continuous Drain Current *1 Ta = 25℃

Ta = 70℃

-2.45

-12

Pulsed Drain Current *1

IDM

1.19

0.76

0.75

0.48

Power Dissipation *1

Ta = 25℃

Ta = 70℃

105

166

Thermal Resistance.Junction- to-Ambient t≤5 sec

Steady State

thJA *1

℃/W

℃

Thermal Resistance.Junction- to-Foot

Junction Temperature

RthJF

150

-55 to 150

Storage Temperature Range

Tstg

*1Surface Mounted on FR4 board.

www.kexin.com.cn

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