5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.5 A | 最小直流电流增益 (hFE)： | 100 |
| 元件数量： | 1 | 极性/信道类型： | NPN |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | NO | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTD114EA3 | CYSTEKEC |
获取价格 |
NPN Digital Transistors (Built-in Resistors) |
|
| DTD114EAC2 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ATR, 3 |
|
| DTD114E-AE3-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
|
| DTD114E-AL3-R | UTC |
获取价格 |
NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT- IN BIAS RESISTORS) |
|
| DTD114EC | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL |
|
| DTD114ECA | BL Galaxy Electrical |
获取价格 |
50V,500mA,NPN Bipolar Digital Transistor |
|
| DTD114ECHZG | ROHM |
获取价格 |
DTD114ECHZG是适合逆变器、接口、驱动器用途的车载型高可靠性晶体管。 |
|
| DTD114ECT116 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, MINIMOL |
|
| DTD114EF | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTR, 3 |
|
| DTD114EFC1 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTR, 3 |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
