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DTC1D3RV

更新时间: 2024-02-05 20:06:50
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其他 - ETC 晶体晶体管
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9页 1302K
描述
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP

DTC1D3RV 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.37最大集电极电流 (IC):0.03 A
集电极-发射极最大电压:50 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE):20JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):0.3 W
认证状态:Not Qualified子类别:BIP General Purpose Small Signal
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

DTC1D3RV 数据手册

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