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DTC144EUA

更新时间： 2024-01-10 01:03:05
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RECTRON 晶体数字晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 385K
描述
SOT-323 DIGITAL TRANSISTORS TRANSISTOR (NPN)

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DTC144EUA 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.57
Is Samacsys：N其他特性：DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.46
最大集电极电流 (IC)：0.03 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：56
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

DTC144EUA 数据手册

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DTC144EUA  
SOT-323 DIGITAL TRANSISTORS  
TRANSISTOR (NPN)  
FEATURES  
Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter  
circuit without connecting external input resistors.  
The bias resistors consist of thin-film resistors with co-  
mplete isolation to allow negative biasing of the input.  
They also have the advantage of almost completely El-  
iminating parasitic effects.  
*
*
SOT-323  
Only the on/off conditions need to be set for operation mark-  
ing device design easy.  
*
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
0.053(1.35)  
0.045(1.15)  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
REF 0.021(0.53)  
* Weight: 0.006 gram  
0.096(2.45)  
0.085(2.15)  
0.016(0.40)  
0.008(0.20)  
1
2
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
0.087(2.20)  
0.079(2.00)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
3
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
(2)  
(1)  
(1) IN  
(2) GND  
(3) OUT  
Dimensions in inches and (millimeters)  
(3)  
MAXIMUM RATINGES ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
RATINGS  
Collector-base Voltage  
SYMBOL  
VALUE  
UNITS  
V
V
(BR)CBO  
(BR)CEO  
50  
50  
5
V
V
Collector-emitter Voltage  
Emitter-base Voltage  
V
V
(BR)EBO  
I
100  
200  
mA  
C
Collector Current  
Collector Power dissipation  
Junction temperature  
Storage Temperature  
P
mW  
C
oC  
oC  
TJ  
150  
-55 to +150  
TSTG  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS SYMBOL  
(V = 5V,I =100µA)  
MIN.  
-
TYP.  
-
MAX.  
0.5  
UNITS  
V
V
I(off)  
CC  
O
Input voltage  
(V = 0.3V,I =2mA)  
V
V
O
O
3
-
-
-
-
V
V
I(on)  
0.3  
Output voltage  
(I /I =10mA/0.5mA)  
O(on)  
O
I
Input current (V = 5V)  
I
I
I
-
-
-
0.18  
0.5  
-
mA  
uA  
Output current (V = 50V,V =0)  
I
O(off)  
-
CC  
I
DC current gain (V = 5V,I = 5mA)  
G
I
68  
0.8  
-
O
O
Resistance ratio  
Transition frequency (V = 10V,I = 5mA,f=100MHz)  
R /R  
2
1
1.2  
1
f
-
250  
47  
-
MHz  
KΩ  
O
O
T
R1  
Input resistance  
NOTE: "Fully ROHS compliant", "100% Sn plating (Pb-free)".  
32.9  
61.1  
2006-3  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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