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DTC143TE-TP PDF预览

DTC143TE-TP

更新时间： 2024-09-24 19:49:03
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 391K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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DTC143TE-TP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.55
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

DTC143TE-TP 数据手册

 浏览型号DTC143TE-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTC143TE-TP的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
DTC143TE  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
NPN Digital Transistor  
·
·
xꢀ Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit  
without connecting external input resistors (see equivalent circuit)  
xꢀ The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow negative biasing of the input. They also have the  
advantage of almost completely eliminating parasitic effects  
xꢀ Only the on/off conditions need to be set for operation, making  
device design easy  
SOT-523  
A
D
1: IN  
2: GND  
3: OUT  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
3
C
B
Symbol  
VCBO  
Value  
50  
Unit  
V
1
2
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base voltage  
VCEO  
50  
V
E
VEBO  
5
V
Collector Current-Continuous  
IC  
100  
mA  
Collector Dissipation  
PC  
150  
mW  
H
G
J
к
к
Junction Temperature  
TJ  
150  
Storage Temperature Range  
TSTG  
-55~150  
K
Electrical Characteristics  
INCHES  
MAX  
MM  
Sym  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=50uA, IE=0)  
Min  
Typ  
Max Unit  
DIM  
A
B
C
D
MIN  
MIN  
MAX  
1.70  
0.85  
1.75  
NOTE  
.059  
.030  
.057  
.067  
.033  
.069  
1.50  
0.75  
1.45  
V(BR)CBO  
50  
50  
5
---  
---  
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1mA, IB=0)  
.020 Nominal  
0.50Nominal  
0.90  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
---  
---  
V
E
.035  
.043  
.004  
.031  
.008  
.014  
1.10  
G
H
J
.000  
.028  
.004  
.010  
.000  
.70  
.100  
.25  
.100  
0.80  
.200  
.35  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=50uA, IC=0)  
---  
---  
V
Collector Cut-off Current  
(VCB=50V, IE=0)  
K
---  
---  
0.5  
0.5  
600  
uA  
uA  
---  
Emitter Cut-off Current  
(VEB=4V, IC=0)  
IEBO  
---  
---  
DC Current Gain  
(VCE=5V, IC=1mA)  
hFE  
100  
300  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=5mA, IB=0.25mA)  
Input resistance  
Transition Frequency  
VCE(sat)  
R1  
---  
3.29  
---  
---  
0.3  
6.11  
---  
V
K=  
4.7  
fT  
250  
MHz  
(Vo=10V, Io=5mA, f=100MHz)  
Marking: 03  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: A  
2014/03/28  
123

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与DTC143TE-TP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTC143TETR ROHM

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
DTC143TF ROHM

获取价格

 		DTA/DTC SERIES
DTC143TFA ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SC-71
DTC143TFAC1 ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, FTR, 3
DTC143TG-AE3-R UTC

获取价格

 		NPN DIGITAL TRANSISTOR BUILT- IN BIAS RESISTORS)
DTC143TG-AL3-R UTC

获取价格

 		NPN DIGITAL TRANSISTOR BUILT- IN BIAS RESISTORS)
DTC143TG-AN3-R UTC

获取价格

 		NPN DIGITAL TRANSISTOR BUILT- IN BIAS RESISTORS)
DTC143TG-T9S-K UTC

获取价格

 		NPN DIGITAL TRANSISTOR BUILT- IN BIAS RESISTORS)
DTC143TH ETC

获取价格

 		トランジスタ
DTC143THT2L ROHM

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-89,

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