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DTC143TCA-TP-HF PDF预览

DTC143TCA-TP-HF

更新时间： 2024-11-14 20:09:55
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 372K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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DTC143TCA-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.56
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

DTC143TCA-TP-HF 数据手册

 浏览型号DTC143TCA-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTC143TCA-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
Micro Commercial Components  
DTC143TCA  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Digital Transistors(NPN)  
xꢀ Epitaxial Planar Die Construction  
xꢀ Built-In Biasing Resistors  
xꢀ Marking:03  
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
SOT-23  
A
D
Absolute maximum ratings @ 25к  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Min  
50  
50  
5
Typ  
---  
---  
---  
Max  
---  
---  
---  
---  
Unit  
V
V
V
mA  
3
B
C
1
2
IC  
Collector current  
---  
100  
1.IN  
F
E
Pd  
Power dissipation  
---  
200  
---  
mW  
2.GND  
3.OUT  
Tj  
Junction temperature  
Storage temperature  
---  
150  
---  
---  
ć
ć
ꢀ
Tstg  
-55  
150  
H
G
J
Electrical Characteristics @ 25к  
Symbol  
V(BR)CBO  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Parameter  
Min  
50  
50  
5
---  
---  
Typ  
---  
Max  
Unit  
K
(IC=50uA)  
(IC=1mA)  
(IE=50uA)  
Collector-Base Voltage  
Collector-Base Voltage  
Collector-Base Voltage  
---  
---  
V
V
V
uA  
DIMENSIONS  
---  
---  
---  
---  
---  
INCHES  
MIN  
MM  
Collector cut-off current (VCB=50V)  
0.5  
0.5  
DIM  
A
B
C
D
E
MAX  
MIN  
2.80  
2.10  
1.20  
.89  
1.78  
.45  
.013  
.89  
MAX  
3.04  
2.64  
1.40  
1.03  
2.05  
.60  
NOTE  
.110  
.083  
.047  
.035  
.070  
.018  
.0005  
.035  
.003  
.015  
.120  
.104  
.055  
.041  
.081  
.024  
.0039  
.044  
.007  
.020  
IEBO  
Emitter cut-off current (VEB=4V)  
uA  
hFE  
R1  
DC current transfer ratio(VCE=5V,IC=1mA) 100  
Input resistance 3.29  
Transition frequency(Vo=10V,Io=5mA,f=100MHz) ---  
---  
4.7  
250  
600  
6.11  
---  
KΩ  
MHz  
f
T
F
V
CE(sat)  
Collector-emitter saturation voltage  
(IC=5mA,IB=0.25mA)  
---  
---  
0.3  
V
G
H
J
.100  
1.12  
.180  
.51  
.085  
.37  
K
Suggested Solder  
Pad Layout  
.031  
.800  
.035  
.900  
.079  
2.000  
inches  
mm  
.037  
.950  
.037  
.950  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: B  
2013/01/01  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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