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DTC124GSATP PDF预览

DTC124GSATP

更新时间： 2023-12-18 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 131K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SPT, 3 PIN

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DTC124GSATP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.58
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：56JESD-30 代码：R-PSIP-T3
JESD-609代码：e1元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：NPN最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
认证状态：Not Qualified子类别：BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：NO端子面层：TIN SILVER COPPER
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：10晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

DTC124GSATP 数据手册

 浏览型号DTC124GSATP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTC124GSATP的Datasheet PDF文件第3页 
100mA / 50V Digital transistors  
(with built-in resistors)  
DTC124GUA / DTC124GKA  
Applications  
Dimensions (Unit : mm)  
Inverter, Interface, Driver  
DTC124GUA  
2.0  
0.9  
0.7  
0.2  
0.3  
Features  
(
)
3
1)The built-in bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow positive biasing of the input, and parasitic effects  
are almost completely eliminated.  
2)Only the on / off conditions need to be set for operation, making the  
device design easy.  
(
)
( )  
1
2
(1) GND  
(2) IN  
(3) OUT  
0.650.65  
1.3  
0.15  
3)Higher mounting densities can be achieved.  
ROHM : UMT3  
EIAJ : SC-70  
Abbreviated symbol : K25  
Structure  
NPN epitaxial planar silicon transistor  
(Resistor built-in type)  
DTC124GKA  
1.1  
0.8  
2.9  
0.4  
( )  
3
Packaging specifications  
( )  
( )  
1
UMT3  
Taping  
T106  
SMT3  
Taping  
T146  
3000  
−
2
Package  
Packaging type  
Code  
(1) GND  
(2) IN  
(3) OUT  
0.95 0.95  
1.9  
0.15  
ROHM : SMT3  
EIAJ : SC-59  
Abbreviated symbol : K25  
3000  
Part No. Basic ordering unit (pieces)  
DTC124GUA  
DTC124GKA  
−
Absolute maximum ratings (Ta=25C)  
Inner circuit  
Parameter  
Symbol  
Limits  
Unit  
Collector-base voltage  
V
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
50  
50  
V
V
V
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
5
C
E
B
I
C
100  
200  
mA  
R
Collector power dissipation  
P
C
mW  
Junction temperature  
Storage temperature  
Tj  
150  
°C  
°C  
Tstg  
−55 to +150  
E : Emitter  
C : Collector  
B : Base  
R=22kΩ  
www.rohm.com  
2009.06 - Rev.C  
1/2  
c
○ 2009 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.  
123

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DTC124GSATP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
DTC124GKAT146 ROHM

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, SC-59,
DTC124GUAT106 ROHM

完全替代

 100mA / 50V Digital transistors (with built-in resistors)
FJV3108RMTF FAIRCHILD

类似代替

 暂无描述

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