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DTC114TUA-TP-HF PDF预览

DTC114TUA-TP-HF

更新时间： 2024-09-24 20:53:51
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 226K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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DTC114TUA-TP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.57
其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：100JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：NPN表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

DTC114TUA-TP-HF 数据手册

 浏览型号DTC114TUA-TP-HF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTC114TUA-TP-HF的Datasheet PDF文件第3页 
M C C  
TM  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
DTC114TUA  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
·
·
NPN Digital Transistor  
xꢀ Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit  
without connecting external input resistors (see equivalent circuit)  
xꢀ The bias resistors consist of thin-film resistors with complete  
isolation to allow negative biasing of the input. They also have the  
advantage of almost completely eliminating parasitic effects  
xꢀ Only the on/off conditions need to be set for operation, making  
device design easy  
SOT-323  
A
D
·
Halogen free available upon request by adding suffix "-HF"  
3
Absolute Maximum Ratings  
1: Base  
2: Emitter  
3: Collector  
C
B
Parameter  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base voltage  
Symbol  
VCBO  
Value  
50  
Unit  
V
1
2
VCEO  
50  
V
F
E
VEBO  
5
V
Collector Current-Continuous  
IC  
100  
mA  
Collector Dissipation  
PC  
200  
mW  
H
G
J
к
к
Junction Temperature  
TJ  
150  
Storage Temperature Range  
TSTG  
-55~150  
K
DIMENSIONS  
Electrical Characteristics  
INCHES  
MAX  
MM  
Sym  
Parameter  
Collector-Base Breakdown Voltage  
(IC=50uA, IE=0)  
Min  
Typ  
Max Unit  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
.071  
.045  
.083  
MIN  
1.80  
1.15  
2.10  
MAX  
2.20  
1.35  
2.45  
NOTE  
.087  
.053  
.096  
V(BR)CBO  
50  
50  
5
---  
---  
---  
---  
---  
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
(IC=1mA, IB=0)  
.026 Nominal  
0.65Nominal  
1.20  
V(BR)CEO  
V(BR)EBO  
ICBO  
---  
V
.047  
.012  
.000  
.035  
.004  
.006  
.055  
.016  
.004  
.039  
.010  
.016  
1.40  
.40  
.100  
1.00  
.250  
.40  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
(IE=50uA, IC=0)  
F
.30  
.000  
.90  
.100  
.15  
---  
V
G
H
J
Collector Cut-off Current  
(VCB=50V, IE=0)  
---  
0.5  
uA  
K
Emitter Cut-off Current  
(VEB=4V, IC=0)  
IEBO  
---  
---  
0.5  
uA  
---  
Suggested Solder  
Pad Layout  
0.70  
DC Current Gain  
(VCE=5V, IC=1mA)  
hFE  
100  
300  
600  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=10mA, IB=1mA)  
VCE(sat)  
R1  
---  
7
---  
10  
0.3  
13  
---  
V
0.90  
Input Resistor  
K¡  
MHz  
Transition Frequency  
(VCE=10V, IC=-5mA, f=100MHz)  
fT  
---  
250  
1.90  
mm  
*Marking: 04  
0.65  
0.65  
www.mccsemi.com  
1 of 3  
Revision: C  
2013/09/24  
123

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与DTC114TUA-TP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTC114TUB ROHM

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 		100mA / 50V Digital transistors
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