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DTC114TKA

更新时间: 2024-09-24 00:04:35
品牌 Logo 应用领域
WK 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 111K
描述
硅NPN双极晶体管

DTC114TKA 数据手册

  
NPN双极晶体管  
DTC114TKA  
要用途:开关、倒相、驱动电路等。  
MAXIMUM RATINGS(Ta=25) 最大额定值  
符号  
额定值  
单位  
UNIT  
CHARACTERISTIC 特性参数  
SYMBOL RATING  
集电极-发射极电压  
Collector-Emitter Voltage  
集电极-基极电压  
VCEO  
V
V
50  
VCBO  
50  
Collector-Base Voltage  
发射极-基极电压  
VEBO  
V
5
Emitter-Base Voltage  
集电极连续电流  
IC  
mA  
mW  
100  
Collector Current—Continuous  
集电极耗散功率  
PC  
200  
Collector Power Dissipation  
结温  
Tj  
150  
Junction Temperature  
储存温度  
Tstg  
-55~150 ℃  
Storage Temperature Range  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS 电特性  
(Ta=25unless otherwise noted 如无特殊说明,温度为25)  
测试条件  
TEST CONDITION  
特性参数  
CHARACTERISTIC  
符号  
SYMBOL  
最小值 典型值 最大值 单位  
MIN. TYPE MAX. UNIT  
集电极-基极反向截止电流  
Collector Cut-off Current  
发射极-基极反向截止电流  
VCB=50V, IE=0  
VEB=4V, IC=0  
IC=1.0mA  
ICBO  
IEBO  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
µA  
µA  
V
— — 0.5  
— — 0.5  
Emitter Cut-off Current  
集电极-发射极反向击穿电压  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
集电极-基极反向击穿电压  
Collector-Base Breakdown Voltage  
发射极-基极反向击穿电压  
Emitter-Base Breakdown Voltage  
直流电流增DC Current Gain  
集电极-发射极饱和压降  
50  
50  
5
— —  
— —  
— —  
IC=50µA  
V
IE=50µA  
V(BR)EBO  
hFE  
V
V
VCE=5V, IC=1mA  
IC=10mA, IB=1mA  
100 300 600  
VCE(sat)  
7
— 0.3  
10 13  
250 —  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
输入电阻  
R1  
fT  
K  
Input Resistance  
特征频率  
Transition Frequency  
VCE=10V, IE=-5mA,  
f=100MHz  
MHz  
DEVICE MARKING 打标、分档  
Making  
Classification  
hFE  
04  
100-600  
PDS-A-512  

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