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DTC114EE

更新时间： 2024-09-24 09:58:15
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体小信号双极晶体管数字晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 188K
描述
Digital Transistors

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DTC114EE 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.12
Is Samacsys：N其他特性：BUILT IN BAIS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：30JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：3封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：NPN认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：250 MHzBase Number Matches：1

DTC114EE 数据手册

 浏览型号DTC114EE的Datasheet PDF文件第2页 
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
DTC114EE  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Epitaxial Planar Die Construction  
xꢀ  
xꢀ  
xꢀ  
·
Untrl Small Surface Mount Package  
Built-In Biasing Resistors  
Digital Transistors  
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
Moisure Sensitivity Level 1  
Marking:24  
·
xꢀ  
SOT-523  
Absolute maximum ratings @ 25  
к
Symbol  
V
Parameter  
Min  
---  
---  
Typ  
50  
50  
Max  
---  
100  
Unit  
V
mA  
Supply  
Voltage  
Collector current  
CC  
IC  
40  
---  
V
mW  
VIN  
Pd  
Tj  
Inputvoltage  
Power dissipation  
Junction temperature  
-10  
---  
---  
150  
150  
A
D
---  
---  
ć
ć
OUT  
Tstg  
Storage temperature  
-55  
---  
150  
C
B
Electrical Characteristics @ 25  
к
Symbol  
VI(off)  
VI(on)  
VO(on)  
II  
Parameter  
Min  
---  
Typ  
---  
Max  
0.5  
---  
Unit  
V
Input voltage (VCC=5V, IO=100 A)  
­
IN  
GND  
E
3.0  
---  
---  
V
(V =0.3V, IO=10mA)  
O
Output voltage (IO=10mA,Ii=0.5mA)  
Input current (VI=5V)  
---  
0.3  
0.88  
0.5  
---  
V
---  
---  
mA  
IO(off)  
GI  
Output current (VCC=50V, VI=0)  
DC current gain (VO=5V, IO=5mA)  
Input resistance  
---  
---  
A
­
30  
7
---  
G
H
J
R1  
10  
1.0  
13  
K
¡
R2/R1  
Resistance ratio  
0.8  
0.2  
K
Transition frequency  
(VCE=10V, I E=5mA, f=100MHz)  
fT  
---  
250  
---  
MHz  
DIMENSIONS  
INCHES  
MM  
DIM  
A
B
MIN  
.059  
.030  
.057  
MAX  
.067  
.033  
.069  
MIN  
1.50  
0.75  
1.45  
MAX  
1.70  
0.85  
1.75  
NOTE  
C
D
E
G
H
J
.020 Nominal  
0.50Nominal  
0.90  
.035  
.043  
.004  
.031  
.008  
.014  
1.10  
.000  
.028  
.004  
.010  
.000  
.70  
.100  
0.80  
.200  
.35  
.100  
.25  
K
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 2  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DTC114EE_08 WEITRON

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DTC114EE_09 ROHM

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DTC114EE3 ROHM

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