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DTC114ECA

更新时间： 2024-02-28 03:16:11

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乐山 - LRC		晶体数字晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	77K
描述
Digital transistors(built-in resistors)

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DTC114ECA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	其他特性：	DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)：	0.07 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	68
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DTC114ECA 数据手册

LESHAN RADIO COMPANY, LTD.

Digital transistors (built-in resistors)

• Features

1) Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without

connecting external input resistors (see equivalent circuit).

2) The bias resistors consist of thinfilm resistors with complete isolation to

allow positive biasing of the input. They also have the advantage of almost

completely eliminating parasitic effects.

DTC114EKA

DTC114ECA

3) Only the on/ off conditions need to be set for operation, making device design

easy.

•

Structure

2.9 0.2

0.2

PNP digital transistor (with built-in resistors)

•Equivalentcircuit

1.1 ⁺_-

0.1

1.9 0.2

0.95 0.95

0.8 0.1

(2)

(1)

0 ~ 0.1

(3)

OUT

(1) GND

(2) IN

0.1

0.06

0.15 ⁺_-

0.1

0.05

0.4 ⁺_-

(3) OUT

GND(+)

OUT

All terminals have same dimensions

DTA114EKA

GND(+)

EIAJ: SC— 59

2.9 0.2

0.2

0.1

0.95 ⁺_-

1.9 0.2

0.95 0.95

0.45 0.1

(2)

(1)

0 ~ 0.1

(3)

0.2Min

(1) GND

(2) IN

0.1

0.06

0.15 ⁺_-

0.1

0.05

0.4 ⁺_-

(3) OUT

All terminals have same dimensions

DTA114ECA

EIAJ: SOT—23

Absolute maximum ratings(T_a=25 °C)

•

Parameter

symbol

limits

unit

Supply voltage

Input voltage

–50

–10~+40

I _O

I _C(Max.)

P_d

Output current

100

Power dissipation

200

°C

Junction temperature

Storage temperature

T _j

150

T _stg

–55~+150

°C

P11–1/2

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