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DTC114E

更新时间： 2024-02-19 00:05:35

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描述
NPN DIGITAL TRANSISTOR (BUILT-IN RESISTORS)

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技术参数
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DTC114E 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.57
Is Samacsys：	N	其他特性：	DIGITAL, BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.7
最大集电极电流 (IC)：	0.07 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	68
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

DTC114E 数据手册

UTCDTC114E

NPNDIGITAL TRANSISTOR

NPN DIGITAL TRANSISTOR

(BUILT-IN RESISTORS)

FEATURES

*Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter

circuit without connecting external input

resistors (see equivalent circuit).

*The bias resistors consist of thin-film resistors with

complete isolation to allow positive biasing of the input

They also have the advantage of almost completely

eliminating parasitic effects.

*Only the on / off conditions need to be set for operation,

making device design easy.

EQUIVALENT CIRCUIT

MARKING

OUT

SOT-23

CB4

GND

OUT

1: GND

2: IN

3: OUT

GND

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS ^{( Ta=25°C )}

PARAMETER

Supply Voltage

SYMBOL

VCC

VIN

RATING

-10~+40

100

200

UNIT

Input Voltage

I_O

IC(Max)

Output Current

Power Dissipation

°C

Junction Temperature

Storage Temperature

Tstg

150

-55 ~ +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS^(Ta=25°C)

PARAMETER

Input Voltage

SYMBOL

VI(off)

VI(on)

VO(on)

TEST CONDITIONS

Vc^C=5V,IO= 100μA

MIN TYP MAX UNIT

0.5

VO=0.3V,IO= 10mA

IO/II= 10mA/0.5 mA

VI= 5V

VCC=50V , VI=0V

VO= 5V,I_O= 5mA

Output Voltage

Input Current

Output Current

DC Current Gain

0.1

0.3

0.88

0.5

μA

I_O(off)

0.8

kΩ

Input Resistance

R2/R1

1.2

Resistance Ratio

Transition Frequency

*Transition frequency of the device

VCE= 10 V, IE=-5mA,f=100MHz *

250

MHz

UTC UNISONIC TECHNOLOGIES CO. LTD

QW-R206-047,A

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与DTC114E相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
DTC114E(SOT-323)	UTC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 1-Element, NPN, Silicon	获取价格
DTC114E/D	ETC	Bias Resistor Transistor	获取价格
DTC114E_11	UTC	NPN DIGITAL TRANSISTOR	获取价格
DTC114E_12	SECOS	NPN Digital Transistors (Built-in Resistors)	获取价格
DTC114E_12	ROHM	NPN 100mA 50V Digital Transistors (Bias Resistor Built-in Transistors)	获取价格
DTC114E_15	UTC	NPN DIGITAL TRANSISTOR	获取价格