DTA124E

更新时间： 2024-09-23 22:50:51

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安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
8页	169K
描述
PNP SILICON BIAS RESISTOR TRANSISTOR

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DTA124E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	CASE 29-11, TO-226, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.16
Is Samacsys：	N	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	60
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.35 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

DTA124E 数据手册

Preferred Devices

PNP Silicon Surface Mount Transistor

with Monolithic Bias Resistor Network

This new series of digital transistors is designed to replace a single

device and its external resistor bias network. The BRT (Bias Resistor

Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias network

consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter

resistor. The BRT eliminates these individual components by

integrating them into a single device. The use of a BRT can reduce

both system cost and board space. The device is housed in the TO–92

package which is designed for through hole applications.

http://onsemi.com

PNP SILICON

BIAS RESISTOR

TRANSISTOR

COLLECTOR

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Collector Current

Symbol

Value

Unit

Vdc

CBO

BASE

CEO

Vdc

100

mAdc

EMITTER

Total Power Dissipation

(1.)

@ T = 25°C

350

Derate above 25°C

2.81

mW/°C

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Value

Unit

Thermal Resistance, Junction to

Ambient (surface mounted)

357

°C/W

Operating and Storage

Temperature Range

T , T

–55 to

+150

°C

stg

Maximum Temperature for

Soldering Purposes,

Time in Solder Bath

260

°C

Sec

CASE 29

TO–92 (TO–226)

STYLE 1

DEVICE MARKING AND RESISTOR VALUES

Device

Marking

R1 (K)

R2 (K)

Shipping

5000/Box

DTA114E

DTA124E

DTA144E

DTA114Y

DTA114T

DTA143T

DTB113E

DTA123E

DTA143E

DTA143Z

DTA114E

DTA124E

DTA144E

DTA114Y

DTA114T

DTA143T

DTB113E

DTA123E

DTA143E

DTA143Z

4.7

1.0

2.2

4.7

∞

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

∞

1.0

2.2

4.7

1. Device mounted on a FR–4 glass epoxy printed circuit board using the

minimum recommended footprint.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2000

Publication Order Number:

May, 2000 – Rev. 0

DTA114E/D

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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DTA124EA	ROHM	获取价格	DTA/DTC SERIES
DTA124EAA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SIP
DTA124EAC2	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, ATR, 3 PIN
DTA124E-AE3-R	UTC	获取价格	PNP DIGITAL TRANSISTOR (BUILT-IN RESISTORS)
DTA124E-AL3-R	UTC	获取价格	Transistor
DTA124E-AN3-R	UTC	获取价格	Transistor
DTA124EC	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 30MA I(C) \| SOT-23

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