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DTA123JM3T5G

更新时间： 2024-11-21 02:59:35

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体数字晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
12页	124K
描述
Digital Transistors (BRT) PNP Silicon Surface Mount Transistors with Monolithic Bias Resistor Network

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DTA123JM3T5G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	0.93	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.27
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.6 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
VCEsat-Max：	0.25 V	Base Number Matches：	1

DTA123JM3T5G 数据手册

DTA114EM3T5G Series

Preferred Devices

Digital Transistors (BRT)

PNP Silicon Surface Mount Transistors

with Monolithic Bias Resistor Network

This new series of digital transistors is designed to replace a single

device and its external resistor bias network. The digital transistor

contains a single transistor with a monolithic bias network consisting

of two resistors; a series base resistor and a base−emitter resistor. The

digital transistor eliminates these individual components by

integrating them into a single device. The use of a digital transistor can

reduce both system cost and board space. The device is housed in the

SOT−723 package which is designed for low power surface mount

applications.

http://onsemi.com

PNP SILICON

DIGITAL

TRANSISTORS

• Simplifies Circuit Design

• Reduces Board Space

• Reduces Component Count

• The SOT−723 Package can be Soldered using Wave or Reflow.

• Available in 4 mm, 8000 Unit Tape & Reel

• These are Pb−Free Devices

PIN 3

COLLECTOR

(OUTPUT)

PIN 1

BASE

(INPUT)

PIN 2

EMITTER

(GROUND)

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)

Rating

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Collector Current

Symbol

Value

Unit

Vdc

MARKING

DIAGRAM

CBO

CEO

Vdc

100

mAdc

XX M

SOT−723

CASE 631AA

Style 1

xx = Specific Device Code

(See Marking Table on page 2)

= Date Code

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 2 of this data sheet.

Preferred devices are recommended choices for future use

and best overall value.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

February, 2004 − Rev. 0

DTA114EM3/D

12 3 4 5 6 7...12

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DTA123JM3T5G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
DTA123JET1G	ONSEMI	类似代替	Bias Resistor Transistors
BC818-16	CENTRAL	功能相似	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
DTA123JET1	ONSEMI	功能相似	Bias Resistor Transistor

与DTA123JM3T5G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DTA123JMFHA	ROHM	获取价格	车载数字晶体管
DTA123JMT2L	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
DTA123JM-T2L	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
DTA123JM-TP	MCC	获取价格	暂无描述
DTA123JM-TP-HF	MCC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
DTA123JN	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| TO-92
DTA123JS	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, SPT, 3 PIN
DTA123JS3	CYSTEKEC	获取价格	PNP Digital Transistors (Built-in Resistors)
DTA123JSA	HTSEMI	获取价格	TRANSISTOR(PNP)
DTA123JSA	TSC	获取价格	PNP Small Signal Transistor

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