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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.58 | 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e1 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | PNP | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | BIP General Purpose Small Signal |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.3 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DTA123JKAT147 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, |
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| DTA123JKT146 | ROHM |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, SMT, 3 PIN |
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| DTA123JKT147 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 1-Element, PNP, Silicon, SMT, 3 PIN |
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| DTA123JL | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
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| DTA123JLA | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SIP |
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| DTA123JL-AE3-R | UTC |
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DIGITAL TRANSISTORS |
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| DTA123JL-AL3-R | UTC |
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DIGITAL TRANSISTORS |
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| DTA123JL-AN3-R | UTC |
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DIGITAL TRANSISTORS |
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| DTA123JLATL2 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTL, 3 |
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| DTA123JLATL3 | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTL, 3 |
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