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DTA114EKAP

更新时间： 2024-01-18 09:34:23

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	92K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23, 3 PIN

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DTA114EKAP 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.57
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	30	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

DTA114EKAP 数据手册

M C C

Micro Commercial Components

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

DTA114EKA

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

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Features

•

Case Material:Molded Plastic. UL Flammability Classification

Rating 94V-0 and MSL Rating 1

Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit

without connecting external input resistors

The bias resistors consist of thin-film resistors with complete

isolation to allow negative biasing of the input. They also have the

advantage of almost completely eliminating parasitic effects.

Only the on/off conditions need to be set for operation, making

device design easy

PNP

Digital Transistors

SOT-23-3L

•

Absolute maximum ratings @ 25R

Symbol

V_CC

Parameter

Supply voltage

Min

---

-40

Typ

-50

---

Max

---

Unit

1. IN

2. GND

3. OUT

V_IN

Input voltage

I_O

I_C(MAX)

P_d

T_j

-50

-100

200

150

---

Output current

---

Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

---

T_stg

-55

150

Electrical Characteristics @ 25R

Symbol

V_I(off)

V_I(on)

V_O(on)

I_I

I_O(off)

G_I

R₁

Parameter

Input voltage (V_CC=-5V, I_O=-100IA)

(V_O=-0.3V, I_O=-10mA)

Output voltage (I_O/I_I=-10mA/-0.5mA

Input current (V_I=-5V)

Output current (V_CC=-50V, V_I=0)

DC current gain (V_O=-5V, I_O=-5mA)

Input resistance

Min

---

-3.0

---

7.0

0.8

Typ

---

1.0

Max

-0.5

---

-0.3

-0.88

-0.5

---

Unit

DIMENSIONS

INCHES

MAX

.120

DIM

MIN

2.80

2.65

1.50

MAX

3.04

2.95

1.70

NOTE

.110

.104

.059

.116

.067

TYP

.037

.950

1.2

.070

---

.041

.004

.012

.081

.004

.045

.008

.016

1.78

---

2.05

.10

R₂/R₁

Resistance ratio

Transition frequency

(V_CE=-10V, I_E=5mA, f=100MHz)

1.05

.10

1.15

.20

f_T

---

250

---

MHz

.30

.40

Suggested Solder

Pad Layout

MARKING: 14

.031

.800

.035

.900

.087

2.200

inches

.037

.950

.037

.950

www.mccsemi.com

2 of 2

Revision: 2

2008/10/31

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与DTA114EKAP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
DTA114EKAT146	ROHM	获取价格	DTA114E series
DTA114EKA-T146	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-59,
DTA114EKAT147	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.05A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
DTA114EL	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 100MA I(C) \| SIP
DTA114EL	BL Galaxy Electrical	获取价格	50V,50mA,PNP Bipolar Digital Transistor
DTA114ELA	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| 50V V(BR)CEO \| 50MA I(C) \| SIP
DTA114EL-AE3-R	UTC	获取价格	PNP DIGITAL TRANSISTOR (BUILT-IN RESISTORS)
DTA114EL-AL3-R	UTC	获取价格	DIGITAL TRANSISTOR
DTA114EL-AN3-R	UTC	获取价格	DIGITAL TRANSISTOR
DTA114ELATL2	ROHM	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, FTL, 3

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