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DST580S-A

更新时间： 2024-11-06 14:56:11

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关二极管
页数	文件大小	规格书
3页	754K
描述
Littelfuse DST系列超低VF 肖特基势垒整流器旨在通过提供耐高温、低泄漏和VF 更低的产品，达到汽车应用的一般要求。非常适合高频开关电源、续流二极管和极性保护二极管。功能

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DST580S-A 技术参数

生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	1.5	其他特性：	FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY
应用：	GENERAL PURPOSE	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	0.72 V
JEDEC-95代码：	TO-277B	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
最大非重复峰值正向电流：	80 A	元件数量：	1
相数：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	参考标准：	AEC-Q101
最大重复峰值反向电压：	80 V	最大反向电流：	400 µA
表面贴装：	YES	技术：	SCHOTTKY
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

DST580S-A 数据手册

Schottky Barrier Rectiﬁer

DST580S, 5A, 80V, TO-277B, Single

RoHS

DST580S-A

Description

Littelfuse DST series Ultra Low V_FSchottky Barrier

Rectiﬁer is designed to meet the general requirements of

commercial and industrial applications by providing high

temperature, low leakage and lower V_Fproducts.

It is suitable for high frequency switching mode power

supply, free-wheeling diodes and polarity protection

diodes.

Features

• High reliability application

and AEC-Q101 qualiﬁed

• Single die inTO-277B

Package

• Ultra low forward voltage

drop

• Pb-free E3 means 2nd

level interconnect is

Pb-free and the terminal

ﬁnish material is tin(Sn)

(IPC/ JEDEC J-STD-

609A.01)

Pin out

• High frequency operation

• MSL: Level 1 - unlimited

Anode

• High junction

temperature capability

• Trench MOS Schottky

technology

Cathode

Applications

• Switching mode power

supply

• Free-Wheeling diodes

• Polarity Protection Diodes

• DC/DC converters

Maximum Ratings

Parameters

Symbol

Test Conditions

Max

Unit

Peak Inverse Voltage

Average Forward Current

V_RWM

50% duty cycle @T_L= 125 °C

rectangular wave form

I_F(AV)

I_FSM

Peak One Cycle Non-Repetitive Surge Current

8.3 ms, half Sine pulse

Electrical Characteristics

Parameters

Symbol

Test Conditions

Typ

Max

Unit

0.48

0.59

0.45

0.59

0.011

0.72

@2.5A, Pulse, T_J= 25 °C

@5A, Pulse, T_J= 25 °C

V_F1

Forward Voltage Drop*

Reverse Current*

@2.5A, Pulse, T_J= 125 °C

@5A, Pulse, T_J= 125 °C

V_F2

0.66

0.4

I_R1

I_R2

C_T

@V_R= rated V_R,T_J= 25 °C

@V_R= rated V_R,T_J= 125 °C

@V_R= 5V, T_C= 25 °C, f_SIG= 1MHz

Junction Capacitance

245

* Pulse Width < 300μs, Duty Cycle <2%

Speciﬁcations are subject to change without notice.

Revised: TK.08/18/23

12 3

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