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DSF05S30U(TPH3,F)

更新时间： 2024-09-30 21:18:39
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 二极管
页数 文件大小 规格书
3页 177K
描述
DIODE SCHOTTKY 30V 500MA USC

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DSF05S30U(TPH3,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.74
配置：SINGLE二极管类型：RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：0.45 V最大非重复峰值正向电流：5 A
元件数量：1最高工作温度：125 °C
最大输出电流：0.5 A最大重复峰值反向电压：30 V
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：YES
技术：SCHOTTKYBase Number Matches：1

DSF05S30U(TPH3,F) 数据手册

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DSF05S30U  
TOSHIBA Diode Silicon Epitaxial Schottky Barrier Type  
DSF05S30U  
High Speed Switching Application  
Unit: mm  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Reverse voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
30  
500 ＊  
5
V
mA  
A
R
Average forward current  
Surge current (10ms)  
I
O
I
FSM  
Junction temperature  
T
125  
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 125  
*: Mounted on a glass-epoxy circuit board of 20 × 20 mm,  
pad dimensions of 4 × 4 mm.  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high  
temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the  
reliability significantly even if the operating conditions (i.e. operating  
temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum  
ratings.  
USC  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba  
Semiconductor Reliability Handbook (“Handling  
TOSHIBA  
1-1E1A  
Weight: 4.5 mg (typ.)  
Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual  
reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Test  
Circuit  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 10mA  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
V
V
V
V
―
I
I
I
―
―
―
―
⎯
0.23  
0.35  
0.40  
5.3  
―
―
F (1)  
F (2)  
F (3)  
R(1)  
F
F
F
Forward voltage  
―
―
―
―
= 200mA  
= 500mA  
0.45  
50  
Reverse current  
I
V
V
= 30V  
R
R
μA  
Total capacitance  
C
T
= 0, f = 1 MHz  
120  
⎯
pF  
Marking  
Equivalent Circuit (top view)  
FP  
Handling Precaution  
Schottky barrier diodes have reverse current characteristic compared to the other diodes.  
There is a possibility SBD may cause thermal runaway when it is used under high temperature or high voltage.  
Please take forward and reverse loss into consideration during design.  
2009-05-11  
1
123

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