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DSEC59-06BC

更新时间： 2024-11-26 03:30:39
品牌 Logo 应用领域
IXYS 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 526K
描述
HiPerFREDTM Epitaxial Diode ISOPLUS220TM

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DSEC59-06BC 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred包装说明：ISOPLUS220, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：8.36其他特性：FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE
应用：SOFT RECOVERY外壳连接：ISOLATED
配置：COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODE最大正向电压 (VF)：1.56 V
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e1
最大非重复峰值正向电流：200 A元件数量：2
相数：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-40 °C
最大输出电流：30 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：600 V最大反向恢复时间：0.03 µs
子类别：Rectifier Diodes表面贴装：NO
端子面层：Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

DSEC59-06BC 数据手册

 浏览型号DSEC59-06BC的Datasheet PDF文件第2页 
DSEA 59-06BC  
DSEC 59-06BC  
HiPerFREDTM Epitaxial Diode  
IFAV = 2x30 A  
VRRM = 600 V  
ISOPLUS220TM  
trr  
= 35 ns  
Electrically Isolated Back Surface  
DSEA  
Preliminary Data Sheet  
TM  
ISOPLUS220  
E153432  
VRSM  
V
VRRM  
V
Type  
1
2
2
3
DSEC  
600  
600  
DSEA 59-06BC  
DSEC 59-06BC  
1
2
3
1
3
Isolated back surface*  
Symbol  
Conditions  
Maximum Ratings  
Features  
I
FRMSc  
Lead current limit  
45  
30  
A
A
z
IFAVM  
IFSM  
EAS  
TC = 105°C; rectangular, d = 0.5  
Silicon chip on Direct-Copper-Bond  
substrate  
TVJ = 45°C; tp = 10 ms (50 Hz), sine  
200  
0.2  
A
- High power dissipation  
- Isolated mounting surface  
- 2500V electrical isolation  
Low cathode to tab capacitance (<15pF)  
Planar passivated chips  
Very short recovery time  
Extremely low switching losses  
Low IRM-values  
TVJ = 25°C; non-repetitive  
IAS = 1.3 A; L = 180 µH  
mJ  
z
z
z
z
z
z
z
IAR  
VA = 1.5·VR typical; f = 10 kHz; repetitive  
0.1  
A
TVJ  
TVJM  
Tstg  
-40...+175  
175  
-40...+150  
°C  
°C  
°C  
Soft recovery behaviour  
Epoxy meets UL 94V-0  
TL  
Ptot  
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s  
TC = 25°C  
260  
136  
°C  
W
VISOL  
FC  
50/60 Hz RMS; IISOL ≤ 1 mA  
Mounting force  
2500  
V~  
Applications  
11...65 / 2.5...15 N / lb  
z
Antiparallel diode for high frequency  
Weight  
typical  
2
g
switching devices  
z
Antisaturation diode  
Symbol  
Conditions  
Characteristic Values  
typ.  
z
Snubber diode  
max.  
z
Free wheeling diode in converters  
and motor control circuits  
IR  
d
TVJ = 25°C  
TVJ = 150°C  
VR = VRRM  
VR = VRRM  
250  
2
µA  
mA  
z
Rectifiers in switch mode power  
supplies (SMPS)  
VF e  
IF = 30 A;  
TVJ = 150°C  
TVJ = 25°C  
1.56  
2.51  
V
V
z
Inductive heating  
z
Uninterruptible power supplies (UPS)  
z
Ultrasonic cleaners and welders  
RthJC  
RthCH  
1.1 K/W  
K/W  
0.6  
30  
Advantages  
trr  
IF = 1 A; -di/dt = 200 A/µs;  
VR = 30 V; TVJ = 25°C  
ns  
z
Avalanche voltage rated for reliable  
operation  
IRM  
VR = 100 V;  
TVJ = 100°C  
IF = 50 A; -diF/dt = 100 A/µs  
4
A
z
Soft reverse recovery for low EMI/RFI  
Low IRM reduces:  
z
- Power dissipation within the diode  
- Turn-on loss in the commutating  
switch  
Notes: Data given for T = 25OC and per diode unless otherwise specified  
c Average curreVnJt per diode may be limited by center lead RMS current limit when  
both diodes are conducting.  
See DSEP 29-06B data sheet for  
characteristic curves  
d Pulse test: pulse Width = 5 ms, Duty Cycle < 2.0 %  
e Pulse test: pulse Width = 300 µs, Duty Cycle < 2.0 %  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions.  
© 2003 IXYS All rights reserved  
DS98817A(07/03)  
12

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