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DSAI110-16F PDF预览

DSAI110-16F

更新时间： 2024-11-21 21:03:39
品牌 Logo 应用领域
IXYS 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
2页 34K
描述
Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 160A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-205AC, DO-30, 1 PIN

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DSAI110-16F 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：DO-30
包装说明：DO-30, 1 PIN针数：1
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.76
应用：GENERAL PURPOSE外壳连接：CATHODE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-205AC
JESD-30 代码：O-MUPM-D1最大非重复峰值正向电流：3150 A
元件数量：1相数：1
端子数量：1最高工作温度：180 °C
最大输出电流：160 A封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：POST/STUD MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：1600 V子类别：Rectifier Diodes
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子形式：SOLDER LUG端子位置：UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

DSAI110-16F 数据手册

 浏览型号DSAI110-16F的Datasheet PDF文件第2页 
DS 110 DSI 110  
DSA 110 DSAI 110  
RectifierDiodes  
Avalanche Diodes  
VRRM = 800 - 1800 V  
IF(RMS) = 250 A  
IF(AV)M = 160 A  
DO-205 AC  
VRSM  
V(BR)min ① VRRM  
A n o d e  
on stud  
C a t h o d e  
on stud  
110-08F  
C
A
A
C
V
V
V
DS  
DSA  
DSI  
DSAI  
9 0 0  
1 3 0 0  
-
-
8 0 0  
1 2 0 0  
DS  
DS  
110-08F  
110-12F  
DSI  
DSI  
110-12F  
1 3 0 0 1 3 0 0 1 2 0 0  
1 7 0 0 1 7 5 0 1 6 0 0  
1 9 0 0 1 9 5 0 1 8 0 0  
DSA  
DSA  
DSA  
110-12F  
110-16F  
110-18F  
DSAI  
DSAI  
DSAI  
110-12F  
110-16F  
110-18F  
①Only for Avalanche Diodes  
A = Anode  
C =Cathode  
S y m b o l  
Test  
Conditions  
Maximum  
Ratings  
M12  
IF(RMS)  
IF(AV)M  
T(vj) = T(vj)m  
Tcase = 100°C; 180° sine  
250  
160  
A
A
F e a t u r e s  
●
International standard package,  
JEDEC DO-205 AC (~DO30)  
Planar glassivated chips  
PRSM  
I F S M  
DSA(I) types, T(vj) = T(vj)m, tp = 10 µs  
35  
kW  
●
T(vj) = 45°C;  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
3150  
3380  
A
A
A p p l i c a t i o n s  
High power rectifiers  
DC supplies  
Field supply for DC motors  
T(vj) = T(vj)m  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
2800  
3000  
A
A
●
●
2
●
I
t
T(vj) = 45°C  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
49 600  
48 000  
A2s  
A2s  
●
Power supplies  
T(vj) = T(vj)m  
VR = 0  
t = 10 ms (50 Hz), sine  
t = 8.3 ms (60 Hz), sine  
39 200  
37 800  
A2s  
A2s  
A d v a n t a g e s  
●
Space and weight savings  
Simple mounting  
Improved temperature and power  
●
T(vj)  
T(vj)m  
Tstg  
-40...+180  
180  
-40...+180  
°C  
°C  
°C  
●
cycling  
Reduced protection circuits  
●
Md  
Mounting torque  
16-20  
142-177  
130  
Nm  
lb.in.  
g
W e i g h t  
Dimensions in mm (1 mm  
=
0.0394")  
S y m b o l  
Test  
T(vj) = T(vj)m; VR = VRRM  
IF = 500 A; T(vj) = 25°C  
Conditions  
Characteristic  
Values  
mA  
I
≤
≤
10  
R
VF  
1.4  
V
VT0  
For power-loss calculations only  
T(vj) = T(vj)m  
0.85  
1.1  
V
mΩ  
r
T
RthJC  
RthJH  
DC current  
180° sine  
DC current  
0.35  
0.39  
0.45  
K/W  
K/W  
K/W  
d S  
d A  
a
Creepage distance on surface  
Strike distance through air  
Max. allowable acceleration  
4.25  
4.25  
100  
mm  
mm  
m/s2  
Data according to IEC 747-2  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions and dimensions  
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.  
IXYSCorporation  
3540 Bassett Street, Santa Clara,CA 95054  
Tel: 408-982-0700 Fax: 408-496-0670  
IXYSSemiconductor  
Edisonstr. 15, D-68623 Lampertheim, Germany  
Tel: +49-6206-5030 Fax: +49-6206-503629  
12

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与DSAI110-16F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSAI110-18F LITTELFUSE

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 160A, 1800V V(RRM), Silicon, DO-205AC, DO-
DSAI110-18F IXYS

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 		Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 160A, 1800V V(RRM), Silicon, DO-205AC, DO-
DSAI1-15.000MHZ MMD

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 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 15MHz Nom, HC-49/US, SMD, 2 PIN
DSAI1-15.000MHZ-3 MMD

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 		Series - Fundamental Quartz Crystal, 15MHz Nom, HC-49/US, SMD, 3 PIN
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