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DSA2401

更新时间： 2024-11-24 19:40:07
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 放大器光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 518K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, MINI3-G3-B-B, 3 PIN

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DSA2401 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.72最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：10 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JESD-30 代码：R-PDSO-G3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
Base Number Matches：1

DSA2401 数据手册

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This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).  
DSA2401  
Silicon PNP epitaxial planar type  
For low frequency amplification  
Features  
Package  
ꢀCode  
Low collector-emitter saturation voltage VCE(sat)  
Contributes to miniaturization of sets, reduction of component count.  
Eco-friendly Halogen-free package  
Mini3-G3-B-B  
ꢀPin Name  
1. Base  
Packaging  
2. Emitter  
3. Collector  
Embossed type (Thermo-compression sealing): 3000 pcs / reel (standard)  
Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
Marking Symbol: B1  
Parameter  
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector current  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Rating  
–15  
Unit  
V
–10  
V
–7  
V
– 0.5  
–1  
A
Peak collector current  
ICP  
A
Collector power dissipation  
Junction temperature  
PC  
200  
mW  
°C  
°C  
Tj  
150  
Storage temperature  
T
stg  
–55 to +150  
Electrical Characteristics Ta = 25°C±3°C  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Min  
–15  
–10  
–7  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base voltage (Emitter open)  
Collector-emitter voltage (Base open)  
Emitter-base voltage (Collector open)  
Collector-base cutoff current (Emitter open)  
VCBO IC = –10 mA, IE = 0  
VCEO IC = –1 mA, IB = 0  
VEBO IE = –10 mA, IC = 0  
V
V
ICBO  
VCB = –10 V, IE = 0  
–100  
350  
nA  
2
*
hFE1  
VCE = –2 V, IC = – 0.5A  
VCE = –2 V, IC = –1A  
130  
60  
1
Forward current transfer ratio *  
hFE2  
1
Collector-emitter saturation voltage *  
VCE(sat) IC = – 0.4A, IB = –8 mA  
VBE(sat) IC = – 0.4A, IB = –8 mA  
– 0.15 – 0.30  
V
V
1
Base-emitter saturation voltage *  
– 0.8  
250  
–1.2  
Transition frequency  
fT  
VCE = –10 V, IC = –50 mA  
MHz  
Collector output capacitance  
Cob  
VCB = –10 V, IE = 0, f = 1 MHz  
18  
pF  
(Common base, input open circuited)  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. 1: Pulse measurement  
*
2: Rank classification  
*
Code  
Rank  
R
R
S
S
hFE1  
130 to 220  
B1R  
180 to 350  
B1S  
Marking Symbol  
Publication date: June 2010  
ZJC00450AED  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
DSA2401R PANASONIC

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 10V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, HALOGEN
DSA2401R0L PANASONIC

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