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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-92 | 包装说明： | TO-92, SIP3,.075,50 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.65 |
| Is Samacsys： | N | JESD-30 代码： | O-PBCY-T3 |
| JESD-609代码： | e3 | 内存密度： | 256 bit |
| 内存集成电路类型： | MEMORY CIRCUIT | 内存宽度： | 1 |
| 功能数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 字数： | 256 words | 字数代码： | 256 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 256X1 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TO-92 |
| 封装等效代码： | SIP3,.075,50 | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | CYLINDRICAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 2.7/10 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Memory ICs | 最大压摆率： | 0.0015 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 10 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.4 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子面层： | Matte Tin (Sn) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS2436B+T&R | DALLAS |
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Battery ID/Monitor Chip |
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| DS2436K | ETC |
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Battery ID/Monitor Evaluation Kit |
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| DS2436Z | DALLAS |
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Battery ID/Monitor Chip |
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| DS2436Z/R | DALLAS |
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Battery ID/Monitor Chip |
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| DS2436Z/T | DALLAS |
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Battery ID/Monitor Chip |
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| DS2436Z/T&R | MAXIM |
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Memory Circuit, 256X1, CMOS, PDSO8, 0.150 INCH, SOIC-8 |
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| DS2436Z/T&R | DALLAS |
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Battery ID/Monitor Chip |
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| DS2436Z/TR-W | MAXIM |
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Memory IC |
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| DS2436Z+ | DALLAS |
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Battery ID/Monitor Chip |
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| DS2436Z+R | DALLAS |
获取价格 |
Battery ID/Monitor Chip |
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