是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | SOIC |
包装说明: | SOC, SOC6,.17 | 针数: | 6 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.39.00.01 | 风险等级: | 1 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-C6 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 3.94 mm | 内存密度: | 64 bit |
内存集成电路类型: | MEMORY CIRCUIT | 内存宽度: | 1 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 6 | 字数: | 64 words |
字数代码: | 64 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64X1 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOC | 封装等效代码: | SOC6,.17 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.5 mm |
最大待机电流: | 0.000001 A | 子类别: | Other Memory ICs |
最大压摆率: | 0.0001 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.25 V |
最小供电电压 (Vsup): | 1.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | C BEND |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 | 宽度: | 3.76 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS2411P+T&R | MAXIM |
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Memory Circuit, 64X1, CMOS, PDSO6, 0.150 INCH, ROHS COMPLIANT, TSOC-6 | |
DS2411R/R | DALLAS |
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Silicon Serial Number with VCC Input | |
DS2411R/T | DALLAS |
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Silicon Serial Number with VCC Input | |
DS2411R/T&R | ROCHESTER |
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SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PDSO3, 0.050 INCH, SOT-23, 3 PIN | |
DS2411R/T&R | DALLAS |
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Silicon Serial Number with VCC Input | |
DS2411R/TR | DALLAS |
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Memory IC, | |
DS2411R+T&R | MAXIM |
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Memory Circuit, 64X1, CMOS, PDSO3, 0.050 INCH, ROHS COMPLIANT, SOT-23, 3 PIN | |
DS2411R+U | MAXIM |
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Memory Circuit, | |
DS2411X | MAXIM |
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Silicon Serial Number with Vcc Input | |
DS2411X | DALLAS |
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Silicon Serial Number with VCC Input |