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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | TSOC-6 | 针数： | 6 |
| Reach Compliance Code： | not_compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.71 | 风险等级： | 5.45 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-C6 | JESD-609代码： | e0 |
| 长度： | 3.94 mm | 内存密度： | 1024 bit |
| 内存集成电路类型： | OTP ROM | 内存宽度： | 1 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 字数： | 1024 words |
| 字数代码： | 1000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 1KX1 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOC | 封装等效代码： | SOC6,.17 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 并行/串行： | SERIAL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 3/5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.5 mm | 子类别： | SRAMs |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.8 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | C BEND |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 20 | 宽度： | 3.76 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| DS2406P+T&R | MAXIM |
功能相似  |
OTP ROM, 1KX1, CMOS, PDSO6, LEAD FREE, TSOC-6 |
|
| DS2431P | DALLAS |
功能相似 |
1024-Bit 1-Wire EEPROM |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS2406P/T&R | DALLAS |
获取价格 |
Dual Addressable Switch Plus 1kbit Memory |
|
| DS2406P/TR | ETC |
获取价格 |
Peripheral IC |
|
| DS2406P+ | DALLAS |
获取价格 |
Dual Addressable Switch Plus 1kbit Memory |
|
| DS2406P+ | MAXIM |
获取价格 |
Dual Addressable Switch Plus 1Kb Memory |
|
| DS2406P+R | DALLAS |
获取价格 |
Dual Addressable Switch Plus 1kbit Memory |
|
| DS2406P+S | MAXIM |
获取价格 |
Compatible with Other 1-Wire Devices Purchased Separately |
|
| DS2406P+T | DALLAS |
获取价格 |
Dual Addressable Switch Plus 1kbit Memory |
|
| DS2406P+T&R | MAXIM |
获取价格 |
OTP ROM, 1KX1, CMOS, PDSO6, LEAD FREE, TSOC-6 |
|
| DS2406P+T&R | DALLAS |
获取价格 |
Dual Addressable Switch Plus 1kbit Memory |
|
| DS2406P+TR | MAXIM |
获取价格 |
Dual Addressable Switch Plus 1Kb Memory |
|
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