是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.77 |
最长访问时间: | 100 ns | 其他特性: | DATA RETENTION VOLTAGE=5.5V TO 2.0V/TTL COMPATIBLE INPUT AND OUTPUT |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G24 |
JESD-609代码: | e0 | 内存密度: | 16384 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 24 | 字数: | 2048 words |
字数代码: | 2000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 2KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
可输出: | YES | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | SOP | 封装等效代码: | SOP24,.4 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3/5 V |
认证状态: | Not Qualified | 最大待机电流: | 0.000001 A |
最小待机电流: | 2 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.055 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
DS2016S-100 | DALLAS |
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IC-SM-16K CMOS SRAM | |
DS2023 | SANYO |
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20 CHARACTERS * 2 LINES LIQUID CRYSTAL DOT MATRIX DISPLAY MODULE | |
DS2023D | SANYO |
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20 CHARACTERS * 2 LINES LIQUID CRYSTAL DOT MATRIX DISPLAY MODULE | |
DS2030AB | MAXIM |
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Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM | |
DS2030AB-100 | MAXIM |
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Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM | |
DS2030AB-100# | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, PBGA256, 27 X 27 MM, ROHS COMPLIANT, BGA-256 | |
DS2030AB-70 | MAXIM |
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Single-Piece 256kb Nonvolatile SRAM | |
DS2030AB-70# | MAXIM |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 70ns, CMOS, PBGA256, 27 X 27 MM, ROHS COMPLIANT, BGA-256 | |
DS2030L-100 | MAXIM |
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Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 100ns, CMOS, PBGA256, 27 X 27 MM, MODULE, BGA-256 | |
DS2030L-100# | ROCHESTER |
获取价格 |
32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 100ns, PBGA256, 27 X 27 MM, ROHS COMPLIANT, BGA-256 |