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| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.73 | 最长访问时间： | 120 ns |
| 其他特性： | RETRANSMIT | 周期时间： | 140 ns |
| JESD-30 代码： | R-PQCC-J32 | 内存密度： | 36864 bit |
| 内存宽度： | 9 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 32 | 字数： | 4096 words |
| 字数代码： | 4000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 4KX9 | 可输出： | NO |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | CHIP CARRIER | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | J BEND | 端子位置： | QUAD |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS2012R-120 | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO |
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| DS2012R-50 | ETC |
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| DS2012R-65 | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO |
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| DS2012R-80 | ETC |
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| DS2012RN-50 | ETC |
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| DS2012RN-65 | ETC |
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| DS2012RN-80 | ETC |
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x9 Asynchronous FIFO |
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| DS2012SF | DYNEX |
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Rectifier Diode |
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| DS2012SF55 | DYNEX |
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Rectifier Diode |
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| DS2012SF56 | DYNEX |
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Rectifier Diode |
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