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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.86 |
| 最长访问时间： | 150 ns | 其他特性： | DATA RETENTION = 10 YRS |
| JESD-30 代码： | R-XDIP-T32 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 32 |
| 字数： | 524288 words | 字数代码： | 512000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 512KX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 可输出： | YES |
| 封装主体材料： | UNSPECIFIED | 封装代码： | DIP |
| 封装等效代码： | DIP32,.6 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 电源： | 3/3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大待机电流： | 0.004 A |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.04 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V | 表面贴装： | NO |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子节距： | 2.54 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| DS1750Y-150-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1750Y-200 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 200ns, CMOS, |
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| DS1750Y-200-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1750Y-70 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, PDMA32 |
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| DS1750YL-150 | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1750YL-150-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1750YL-200 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM, 512KX8, 200ns, CMOS, |
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| DS1750YL-200-IND | ETC |
获取价格 |
NVRAM (Battery Based) |
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| DS1750YLPM-150 | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 150ns, CMOS, |
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| DS1750YLPM-150IND | DALLAS |
获取价格 |
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 150ns, CMOS, |
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