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DS1750AB-70

更新时间: 2024-11-23 14:49:11
品牌 Logo 应用领域
达拉斯 - DALLAS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
12页 341K
描述
Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 70ns, CMOS, PDMA32,

DS1750AB-70 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.78Is Samacsys:N
最长访问时间:70 ns其他特性:BATTERY BACK-UP
JESD-30 代码:R-PDMA-T32内存密度:4194304 bit
内存集成电路类型:NON-VOLATILE SRAM MODULE内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:32字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:512KX8可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY并行/串行:PARALLEL
认证状态:Not Qualified最大供电电压 (Vsup):5.25 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:DUALBase Number Matches:1

DS1750AB-70 数据手册

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